如果你需要(yao)購(gou)買磨(mo)粉機(ji)，而且(qie)區分不了(le)雷(lei)蒙(meng)磨(mo)與球磨(mo)機(ji)的區別，那么下(xia)面讓我來給你講(jiang)解一下(xia)： 雷(lei)蒙(meng)磨(mo)和球磨(mo)機(ji)外形(xing)差異較大，雷(lei)蒙(meng)磨(mo)高達威猛(meng)，球磨(mo)機(ji)敦實個頭也不小(xiao)，但是二者的工
隨著社會經濟的(de)快速發(fa)展，礦(kuang)石磨粉(fen)(fen)的(de)需(xu)求(qiu)量越(yue)來越(yue)大，傳統(tong)的(de)磨粉(fen)(fen)機已經不能滿(man)足生(sheng)產的(de)需(xu)要，為了(le)滿(man)足生(sheng)產需(xu)求(qiu)，黎(li)明重工加(jia)緊(jin)科(ke)研步(bu)伐，生(sheng)產出(chu)了(le)全(quan)自動智能化環保節能立式磨粉(fen)(fen)
網頁2022年(nian)1月12日(ri)? 二氧(yang)化硅純化過程從(cong)包括顎式(shi)破(po)碎機和(he)圓錐破(po)碎機在(zai)內的初(chu)步破(po)碎開(kai)始，然后是濕磨，然后在(zai)搖床(chuang)中進行(xing)尺寸分類。 搖床(chuang)通常與磨機在(zai)一個閉合回路中工作(zuo)，以改
網頁一般來說，經過(guo)浮選和(he)磁(ci)選后(hou)的硅石（主要(yao)(yao)成分是SiO2）放在電弧(hu)爐里(li)和(he)焦炭生成冶金級硅，然后(hou)進一步提純到更高級數的硅。 目前(qian)處于世界主流的傳統提純工(gong)藝主要(yao)(yao)有兩種：改
網頁2021年2月3日? 河沙中提(ti)取二氧化(hua)硅用到哪些設備? 棒磨擦洗脫泥(ni)磁(ci)選(xuan)浮(fu)選(xuan)酸浸(jin)。 河沙在經擦洗、磁(ci)選(xuan)和(he)浮(fu)選(xuan)分(fen)離后(hou)，賦存較低的雜(za)質礦物顆(ke)粒(li) (包括單體、集(ji)合體)已基(ji)本上被
網頁多晶硅(gui)(gui)的生產工藝流程及有(you)關設(she)備有(you)： 1、多晶硅(gui)(gui)生產主要關鍵(jian)設(she)備（在(zai)改良西(xi)門子法(fa)中）：氯化氫(qing)合(he)成(cheng)爐(lu)，三(san)氯氫(qing)硅(gui)(gui)沸騰床(chuang)加壓合(he)成(cheng)爐(lu)，三(san)氯氫(qing)硅(gui)(gui)水解凝(ning)膠處理系統，三(san)氯氫(qing)
網(wang)頁2023年1月20日? 3經(jing)檢(jian)索，中國專(zhuan)利(li)公(gong)開了一種二氧化硅提純設備(bei)，其申(shen)請公(gong)布(bu)號為 cnu，包(bao)括反(fan)應室(shi)和鹽酸(suan)存儲箱，該二氧化硅提純設備(bei)，通過(guo)將待提純的二氧
網(wang)頁本發明(ming)涉及(ji)二氧(yang)化(hua)硅提(ti)(ti)純(chun)設備技(ji)術領域，尤其(qi)涉及(ji)一種新型(xing)(xing)二氧(yang)化(hua)硅提(ti)(ti)純(chun)裝(zhuang)置。背(bei)景技(ji)術隨著國(guo)內電(dian)子工業(ye)(ye)如(ru)集成電(dian)路、IT產業(ye)(ye)如(ru)光導光纖以及(ji)家電(dian)、電(dian)光源、新型(xing)(xing)能(neng)源如(ru)太(tai)陽能(neng)等
網(wang)頁一(yi)(yi)種(zhong)二(er)氧化硅生產(chan)用的高(gao)效提純裝(zhuang)(zhuang)置，包(bao)括第(di)(di)(di)一(yi)(yi)筒(tong)(tong)(tong)體，第(di)(di)(di)一(yi)(yi)筒(tong)(tong)(tong)體橫向放置，第(di)(di)(di)一(yi)(yi)筒(tong)(tong)(tong)體一(yi)(yi)側開口，第(di)(di)(di)一(yi)(yi)筒(tong)(tong)(tong)體外周另一(yi)(yi)側固定(ding)安裝(zhuang)(zhuang)電機(ji)，第(di)(di)(di)一(yi)(yi)筒(tong)(tong)(tong)體另一(yi)(yi)側開設通(tong)孔，電機(ji)輸出軸(zhou)穿過通(tong)
網頁2018年12月(yue)14日? 在(zai)實際的(de)生產中，我們通(tong)常將二(er)氧化硅(gui)還原成單晶(jing)硅(gui)，但是這(zhe)個過程(cheng)難度很(hen)高(gao)，因為實際用到的(de)晶(jing)圓純度很(hen)高(gao)，要達到99999%以上(shang)，常用的(de)晶(jing)圓生產
網頁阿里巴巴為您(nin)找(zhao)到1585條二氧化硅干燥設備產品的詳細參數，實時報價(jia)(jia)，價(jia)(jia)格行情，優質批發/供應(ying)等信息(xi)。
網頁2022年2月14日? 晶(jing)圓(yuan)的(de)保護膜(mo)(mo)和絕(jue)緣膜(mo)(mo)是“氧(yang)(yang)(yang)化(hua)膜(mo)(mo)”(二氧(yang)(yang)(yang)化(hua)硅(gui),SiO2) 晶(jing)圓(yuan)的(de)保護膜(mo)(mo)和絕(jue)緣膜(mo)(mo)是“氧(yang)(yang)(yang)化(hua)膜(mo)(mo)”(二氧(yang)(yang)(yang)化(hua)硅(gui),SiO2) 為(wei)了將(jiang)從沙子中提取的(de)硅(gui)作為(wei)半(ban)導體集成電路的(de)原材 料,需要對其進行一系列的(de)提純,才(cai)可制(zhi)造出(chu)稱為(wei)錠(ding)(Ingot)的(de)硅(gui)柱(zhu),然后(hou)將(jiang)該硅(gui)柱(zhu)切成均勻的(de)厚(hou)度,經(jing) 過研磨(mo)后(hou),制(zhi)成半(ban)導體的(de)基礎——晶(jing)圓(yuan)。
網頁納(na)(na)米(mi)二(er)氧化(hua)硅的(de)制(zhi)備 納(na)(na)米(mi)SiO2，呈三維(wei)網狀結構(gou)，表面(mian)(mian)存(cun)在(zai)大(da)量的(de)不飽(bao)和(he)殘鍵(jian)和(he)不同狀態的(de)羥基(ji)，這使得(de)納(na)(na)米(mi)二(er)氧化(hua)硅表面(mian)(mian)能(neng)高(gao)，處于熱力(li)學非穩(wen)定狀態，俗稱為“超微細(xi)白炭黑” 粒徑小，比表面(mian)(mian)積大(da)，表面(mian)(mian)吸附能(neng)力(li)強，表面(mian)(mian)能(neng)大(da)，化(hua)學純度高(gao)，分散性能(neng)好
網頁2017年(nian)5月30日? 南昌(chang)高新(xin)技(ji)術產(chan)業(ye)開發區(qu)傳出消息，該區(qu)南昌(chang)至新(xin)化(hua)(hua)工技(ji)術有限公司生(sheng)產(chan)出超純二(er)氧化(hua)(hua)硅(gui)（SiO2）產(chan)品，二(er)氧化(hua)(hua)硅(gui)含量達999995%，雜質含量只有5ppm，優(you)于(yu)國際先進(jin)技(ji)術。 我國超純二(er)氧化(hua)(hua)硅(gui)長期(qi)完(wan)全依賴進(jin)口的局面將被改(gai)變。 至新(xin)化(hua)(hua)工總工程師(shi)張智(zhi)新(xin)告
網頁2014年10月18日? (最新(xin))SiO2提(ti)純技(ji)(ji)(ji)術綜(zong)述提(ti)純,綜(zong)述,技(ji)(ji)(ji)術,提(ti)純技(ji)(ji)(ji)術,SiO2,技(ji)(ji)(ji)術新(xin),二氧化硅(gui),提(ti)純新(xin),新(xin)技(ji)(ji)(ji)術,粗鹽提(ti)純 目(mu)前具(ju)體可(ke)采用的設備有高能攪拌磨(mo)(mo)、高振(zhen)幅(fu)低頻 振(zhen)動磨(mo)(mo)、高幅(fu)高頻振(zhen)動磨(mo)(mo)、離心式(shi)行星球磨(mo)(mo)、離心行星式(shi)振(zhen)動磨(mo)(mo)等。
網(wang)頁2021年(nian)2月3日(ri)? 河(he)(he)沙(sha)中提取二氧(yang)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)的(de)(de)工藝(yi)(yi) 去(qu)除河(he)(he)沙(sha)中的(de)(de)雜(za)質，獲(huo)取更高(gao)純(chun)度的(de)(de)二氧(yang)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)，比較常用的(de)(de)工藝(yi)(yi)方法(fa)是酸(suan)(suan)浸(jin)法(fa)。 酸(suan)(suan)浸(jin)是利用二氧(yang)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)不溶于酸(suan)(suan) (HF除外)，其他雜(za)質礦物能被酸(suan)(suan)液溶解的(de)(de)特(te)點(dian)，從而可以實現(xian)對石英的(de)(de)進(jin)一步提純(chun)。 酸(suan)(suan)浸(jin)常用酸(suan)(suan)類(lei)有(you)硫酸(suan)(suan)、鹽(yan)酸(suan)(suan)、硝酸(suan)(suan)
網頁2020年11月19日(ri)? 非(fei)金(jin)屬礦物常見選礦提(ti)純(chun)方法(fa)、原理(li)及主要工藝(yi)設備(bei) 同，這是非(fei)金(jin)屬礦選礦與金(jin)屬礦選礦最大的(de)區別之處(chu)，例如石英和硅藻土，化(hua)學(xue)成分雖都是二氧(yang)化(hua)硅，但前者(zhe)為晶質結(jie)(jie)構(gou)(gou)（硅氧(yang)四面體），而后者(zhe)為結(jie)(jie)構(gou)(gou)復雜的(de)非(fei)品質多孔結(jie)(jie)構(gou)(gou)，因此，它們的(de)應用性能或(huo)
網頁2021年10月4日? 因此，采用石英砂提純(chun)(chun)技(ji)術，獲得(de)高純(chun)(chun)二(er)氧化硅，是滿(man)足(zu)我國高技(ji)術領域(yu)對高純(chun)(chun)硅需求的(de)有效途徑，對促進(jin)我國國民經濟發(fa)展(zhan)具有重要的(de)意義。 目前提純(chun)(chun)石英砂的(de)主要方(fang)法可(ke)以分為物理(li)方(fang)法和(he)化學方(fang)法兩(liang)種。 1物理(li)方(fang)法 物理(li)方(fang)法主要是水洗和(he)分級脫泥、擦洗
網頁2021年8月19日? 我(wo)們(men)都知(zhi)道，石英砂的主要(yao)成分是(shi)二氧化硅(gui)，而精制石英砂對二氧化硅(gui)的含量要(yao)求非(fei)常之高，一(yi)般情況下(xia)，精制石英砂要(yao)求純度為SiO2≥99—995% ， Fe2O3≤002—0015% 。 確保純度如此之高的首要(yao)前(qian)提是(shi)原(yuan)礦(kuang)，對原(yuan)礦(kuang)進行挑選，擇其優質(zhi)礦(kuang)石進行復雜(za)加工，才能得到(dao)
網頁2023年(nian)2月28日(ri)? 1本發明涉及(ji)(ji)石英砂提純(chun)(chun)技術領(ling)域(yu)(yu)，具(ju)體涉及(ji)(ji)一種電弧(hu)真(zhen)空(kong)提純(chun)(chun)石英砂的(de)設(she)備和方(fang)法(fa)。 背(bei)景技術： 2高(gao)純(chun)(chun)二氧化(hua)(hua)硅是一類極為重要(yao)的(de)光電子材料，廣(guang)泛應(ying)用(yong)于半導體、光纖通汛(xun)、激光和航天等(deng)高(gao)技術領(ling)域(yu)(yu)。 隨著這些(xie)領(ling)域(yu)(yu)的(de)迅速發展(zhan)，對高(gao)純(chun)(chun)二氧化(hua)(hua)硅中雜質(zhi)含量的(de)要(yao)求更為嚴格，對高(gao)純(chun)(chun)二氧化(hua)(hua)硅的(de)
網頁2014年9月2日(ri)? 多孔物質例如活性炭、粘 土以及二氧化硅等材(cai)料(liao)在水處理、催化反應和氣(qi)體(ti) 與提純方面(mian)應用較廣。 超臨界甲 烷(wan)在活性炭孔116】的分子模(mo)擬結果表明，甲烷(wan) 附量隨壓力的增(zeng)大而(er)增(zeng)大，溫度 的升(sheng)高而(er)減(jian)小，NVT模(mo)擬得到(dao)其(qi)擴散(san)系(xi)數 力溫度的變化規律。
網頁(ye)2020年12月15日? 如圖1所(suo)示(shi)，本發明(ming)實施(shi)例的一種從尾礦中(zhong)提純二氧化硅的方法，包括(kuo)如下步驟(zou)： a、將尾礦、鈉化劑(ji)、氯化劑(ji)混合均勻(yun)后進行焙(bei)(bei)燒(shao)(shao)，優選地(di)，焙(bei)(bei)燒(shao)(shao)溫度為(wei)800900℃，焙(bei)(bei)燒(shao)(shao)時間(jian)為(wei)12h，得(de)到焙(bei)(bei)燒(shao)(shao)煙氣(qi)和焙(bei)(bei)燒(shao)(shao)渣(zha)； b、將所(suo)述步驟(zou)a得(de)到的焙(bei)(bei)燒(shao)(shao)渣(zha)加(jia)水調漿，進行水浸處理(li)
網頁1石(shi)英(ying)砂(sha)：從(cong)基礎原材料到戰略級資源石(shi)英(ying)砂(sha)又稱硅砂(sha)，是(shi)由天然水晶、石(shi)英(ying)礦物加工而成(cheng)或化學合(he)成(cheng)的二氧化硅材料。石(shi)英(ying)制(zhi)品具有硬(ying)度大、膨脹系數低等特點(dian)，在耐高溫性(xing)、耐腐蝕性(xing)、透光性(xing)、化學穩定性(xing)、電(dian)絕緣性(xing)等方面表現良(liang)好，廣(guang)泛應(ying)用于(yu)鑄造(zao)、建材、電(dian)光源、光纖(xian)、光伏、半導體等領域。
網(wang)頁一(yi)(yi)種二(er)氧化硅生產(chan)用的高效提純裝(zhuang)置，包括第(di)一(yi)(yi)筒體(ti)，第(di)一(yi)(yi)筒體(ti)橫向放置，第(di)一(yi)(yi)筒體(ti)一(yi)(yi)側(ce)(ce)(ce)開(kai)口，第(di)一(yi)(yi)筒體(ti)外(wai)(wai)周另一(yi)(yi)側(ce)(ce)(ce)固(gu)定(ding)安裝(zhuang)電(dian)機，第(di)一(yi)(yi)筒體(ti)另一(yi)(yi)側(ce)(ce)(ce)開(kai)設(she)通孔，電(dian)機輸(shu)出軸(zhou)穿過通孔，通孔內壁(bi)與電(dian)機輸(shu)出軸(zhou)外(wai)(wai)周之(zhi)間通過軸(zhou)承連接，電(dian)機輸(shu)出軸(zhou)固(gu)定(ding)連接圓(yuan)盤一(yi)(yi)側(ce)(ce)(ce)，圓(yuan)盤另一(yi)(yi)側(ce)(ce)(ce)設(she)有(you)環形卡齒，第(di)一(yi)(yi)筒體(ti)內
網(wang)頁硅(gui)的制取及硅(gui)片的制備 無定(ding)型硅(gui)可(ke)以通過(guo) 鎂(mei)(mei) 還(huan)原(yuan)二(er)氧(yang)化(hua)硅(gui)的方(fang)式制得。 實驗室里可(ke)用(yong)鎂(mei)(mei)粉(fen)在赤熱下還(huan)原(yuan)粉(fen)狀二(er)氧(yang)化(hua)硅(gui)，用(yong)稀(xi)酸洗去生(sheng)成的氧(yang)化(hua)鎂(mei)(mei)和鎂(mei)(mei)粉(fen)，再用(yong)氫氟酸洗去未(wei)作用(yong)的二(er)氧(yang)化(hua)硅(gui)，即得單質硅(gui)。 這種方(fang)法制得的都是不夠純凈的無定(ding)形硅(gui)，為棕黑色
網頁2022年(nian)2月14日? 晶圓的(de)保護膜和(he)絕(jue)緣膜是(shi)“氧(yang)化(hua)(hua)膜”(二氧(yang)化(hua)(hua)硅(gui)(gui),SiO2) 晶圓的(de)保護膜和(he)絕(jue)緣膜是(shi)“氧(yang)化(hua)(hua)膜”(二氧(yang)化(hua)(hua)硅(gui)(gui),SiO2) 為(wei)了(le)將從(cong)沙子中(zhong)提取的(de)硅(gui)(gui)作(zuo)為(wei)半(ban)導體(ti)集(ji)成(cheng)(cheng)電路的(de)原材 料(liao),需要(yao)對其進(jin)行一系列的(de)提純,才可制(zhi)造出稱為(wei)錠(ding)(Ingot)的(de)硅(gui)(gui)柱,然后將該硅(gui)(gui)柱切成(cheng)(cheng)均勻的(de)厚度,經 過研磨后,制(zhi)成(cheng)(cheng)半(ban)導體(ti)的(de)基礎——晶圓。
網頁2017年5月30日? 南昌高新技(ji)(ji)術(shu)產業開(kai)發區(qu)(qu)傳出消息，該區(qu)(qu)南昌至(zhi)新化工(gong)技(ji)(ji)術(shu)有(you)(you)限公司生(sheng)產出超純(chun)二氧(yang)化硅(gui)（SiO2）產品，二氧(yang)化硅(gui)含量(liang)達999995%，雜(za)質含量(liang)只有(you)(you)5ppm，優于國際先進技(ji)(ji)術(shu)。 我國超純(chun)二氧(yang)化硅(gui)長期完(wan)全依賴進口的局(ju)面將被(bei)改變。 至(zhi)新化工(gong)總工(gong)程師(shi)張智(zhi)新告
網頁(ye)2014年10月(yue)18日? (最新(xin)(xin))SiO2提純(chun)技(ji)(ji)術綜(zong)述(shu)提純(chun),綜(zong)述(shu),技(ji)(ji)術,提純(chun)技(ji)(ji)術,SiO2,技(ji)(ji)術新(xin)(xin),二氧(yang)化硅,提純(chun)新(xin)(xin),新(xin)(xin)技(ji)(ji)術,粗鹽(yan)提純(chun) 目前具體可采用(yong)的設備有高(gao)(gao)能攪拌磨(mo)(mo)(mo)、高(gao)(gao)振(zhen)(zhen)幅(fu)低頻 振(zhen)(zhen)動(dong)磨(mo)(mo)(mo)、高(gao)(gao)幅(fu)高(gao)(gao)頻振(zhen)(zhen)動(dong)磨(mo)(mo)(mo)、離(li)心式行星球磨(mo)(mo)(mo)、離(li)心行星式振(zhen)(zhen)動(dong)磨(mo)(mo)(mo)等。
網頁高(gao)純二氧(yang)化(hua)(hua)硅項目明年(nian)(nian)陸續(xu)投(tou)產 對于投(tou)資者(zhe)最關(guan)心的合成石英砂業務進(jin)展情況，凱盛科技表示：“年(nian)(nian)產5000噸高(gao)純二氧(yang)化(hua)(hua)硅項目已(yi)完(wan)成首(shou)次(ci)工(gong)藝論證、環評(ping)批復、安全預評(ping)價及施工(gong)圖設計等，主(zhu)要設備的招標工(gong)作已(yi)經(jing)完(wan)成，正在按(an)計劃推進(jin)，計劃明年(nian)(nian)34季度
網頁2020年(nian)11月19日? 非金屬(shu)(shu)礦(kuang)物常(chang)見選(xuan)礦(kuang)提純方法(fa)、原理及主要工藝設備 同，這(zhe)是非金屬(shu)(shu)礦(kuang)選(xuan)礦(kuang)與金屬(shu)(shu)礦(kuang)選(xuan)礦(kuang)最大(da)的區別之處，例如石英和硅藻土，化學成分雖都是二氧化硅，但前(qian)者為(wei)晶質(zhi)結構（硅氧四面(mian)體），而后者為(wei)結構復雜(za)的非品質(zhi)多孔(kong)結構，因此，它們的應用性能或
網頁2020年12月(yue)15日? 如圖1所(suo)(suo)示，本(ben)發(fa)明實施(shi)例的一(yi)種(zhong)從尾礦(kuang)中提(ti)純二(er)氧化硅的方法，包括如下步驟(zou)： a、將(jiang)尾礦(kuang)、鈉化劑、氯化劑混合均勻后進行(xing)焙(bei)(bei)燒，優選地(di)，焙(bei)(bei)燒溫度(du)為(wei)800900℃，焙(bei)(bei)燒時間為(wei)12h，得到焙(bei)(bei)燒煙氣和焙(bei)(bei)燒渣(zha)； b、將(jiang)所(suo)(suo)述步驟(zou)a得到的焙(bei)(bei)燒渣(zha)加(jia)水調漿，進行(xing)水浸(jin)處(chu)理
網頁2018年8月(yue)1日? 首先是硅提純，將沙(sha)石(shi)原料放入一個溫度(du)約(yue)為2000℃，并且有碳(tan)源存(cun)在的(de)(de)(de)電(dian)弧熔爐中(zhong)，在高溫下，碳(tan)和沙(sha)石(shi)中(zhong)的(de)(de)(de)二氧化硅進行化學反應（碳(tan)與氧結合(he)，剩下硅），得到純度(du)約(yue)為98%的(de)(de)(de)純硅，又(you)稱(cheng)作冶金(jin)級硅，這對微電(dian)子器件來說不(bu)夠純，因(yin)為半導體(ti)材料的(de)(de)(de)電(dian)學特性對雜質的(de)(de)(de)濃度(du)非(fei)常敏感，因(yin)此(ci)對冶金(jin)級
網(wang)頁2021年8月(yue)19日(ri)? 我(wo)們都知道(dao)，石(shi)英(ying)砂的主(zhu)要(yao)成分是(shi)二氧化硅，而精制石(shi)英(ying)砂對二氧化硅的含(han)量要(yao)求(qiu)非常(chang)之高(gao)，一般情(qing)況下，精制石(shi)英(ying)砂要(yao)求(qiu)純度為SiO2≥99—995% ， Fe2O3≤002—0015% 。確(que)保(bao)純度如此之高(gao)的首要(yao)前(qian)提是(shi)原礦，對原礦進(jin)行挑選，擇其優質(zhi)礦石(shi)進(jin)行復雜(za)加工(gong)，才能(neng)得到精制石(shi)英(ying)砂。
網頁2021年10月4日? 因此(ci)，采(cai)用石英砂提(ti)純(chun)(chun)技術，獲得(de)高(gao)(gao)純(chun)(chun)二氧化(hua)硅，是(shi)滿足我國(guo)高(gao)(gao)技術領域對高(gao)(gao)純(chun)(chun)硅需(xu)求(qiu)的有效途徑，對促進我國(guo)國(guo)民經濟(ji)發展具有重要(yao)的意義。 目前提(ti)純(chun)(chun)石英砂的主(zhu)要(yao)方法可(ke)以分為物理方法和(he)化(hua)學方法兩種。 1物理方法 物理方法主(zhu)要(yao)是(shi)水洗和(he)分級(ji)脫泥、擦洗
網頁2023年2月28日(ri)? 1本(ben)發明(ming)涉及(ji)(ji)石(shi)英砂(sha)提純(chun)技(ji)術(shu)領域(yu)(yu)，具體涉及(ji)(ji)一種電弧真空提純(chun)石(shi)英砂(sha)的設備和方法。 背景(jing)技(ji)術(shu)： 2高(gao)(gao)純(chun)二氧(yang)化硅(gui)是一類極為重要(yao)的光電子材料，廣泛(fan)應用于半導體、光纖(xian)通(tong)汛、激光和航天等高(gao)(gao)技(ji)術(shu)領域(yu)(yu)。 隨著這些領域(yu)(yu)的迅(xun)速(su)發展(zhan)，對高(gao)(gao)純(chun)二氧(yang)化硅(gui)中雜質含量的要(yao)求更為嚴格，對高(gao)(gao)純(chun)二氧(yang)化硅(gui)的
網(wang)頁(ye)2015年9月9日(ri)? 高純二氧化(hua)硅具有許多(duo)優(you)良(liang)的物理化(hua)學(xue)性能(neng)(neng)，它是在宇航、電子、光(guang)纖通訊、國防軍(jun)工、光(guang)學(xue)儀器、激光(guang)等高科技領域被廣(guang)泛應(ying)用的基礎原材(cai)料(liao)。 它的優(you)良(liang)物理化(hua)學(xue)性能(neng)(neng)有：防腐性、抗(kang)劃(hua)傷性、耐(nai)高溫(wen)性、高強度、抗(kang)撕裂性、抗(kang)張性等多(duo)項性能(neng)(neng)。 目前，制備(bei)
網頁2021年4月13日? 硅(gui)(gui)片(pian)制(zhi)造技術(shu)過(guo)程(cheng) 硅(gui)(gui)片(pian)的(de)(de)原材料是石英，也就(jiu)是通常說的(de)(de)沙(sha)子，可以直接在自然界開采。 晶圓制(zhi)造的(de)(de)過(guo)程(cheng)可以通過(guo)幾(ji)步(bu)來完成(cheng)。 脫氧提純，提煉多晶硅(gui)(gui)，單晶硅(gui)(gui)錠(ding)（硅(gui)(gui)棒），滾磨，晶片(pian)切割，晶圓拋光，退火(huo)，測試，包裝等等步(bu)驟。 脫氧提純：硅(gui)(gui)片(pian)制(zhi)造
網頁1石英砂：從基礎原材料到戰略級資(zi)源石英砂又(you)稱硅(gui)砂，是由天然水晶、石英礦物加(jia)工而(er)成或化(hua)學合(he)成的二氧化(hua)硅(gui)材料。石英制品具有硬度大(da)、膨脹系數低等(deng)特點，在(zai)耐高溫性(xing)、耐腐蝕性(xing)、透光性(xing)、化(hua)學穩(wen)定性(xing)、電絕緣性(xing)等(deng)方面(mian)表現(xian)良(liang)好，廣(guang)泛(fan)應用于鑄造、建材、電光源、光纖、光伏(fu)、半(ban)導體等(deng)領(ling)域。
網頁一(yi)(yi)種二氧(yang)化(hua)硅生產用的高效提純裝(zhuang)置，包括第(di)一(yi)(yi)筒(tong)(tong)體(ti)(ti)，第(di)一(yi)(yi)筒(tong)(tong)體(ti)(ti)橫向(xiang)放置，第(di)一(yi)(yi)筒(tong)(tong)體(ti)(ti)一(yi)(yi)側開口，第(di)一(yi)(yi)筒(tong)(tong)體(ti)(ti)外(wai)周另一(yi)(yi)側固定安裝(zhuang)電機(ji)，第(di)一(yi)(yi)筒(tong)(tong)體(ti)(ti)另一(yi)(yi)側開設通(tong)孔，電機(ji)輸出軸(zhou)穿過通(tong)孔，通(tong)孔內壁與電機(ji)輸出軸(zhou)外(wai)周之(zhi)間通(tong)過軸(zhou)承連(lian)接(jie)，電機(ji)輸出軸(zhou)固定連(lian)接(jie)圓(yuan)盤一(yi)(yi)側，圓(yuan)盤另一(yi)(yi)側設有環形卡(ka)齒，第(di)一(yi)(yi)筒(tong)(tong)體(ti)(ti)內
網頁(ye)2022年(nian)2月14日? 晶(jing)(jing)(jing)圓(yuan)的(de)保護膜(mo)和(he)(he)絕緣膜(mo)是“氧(yang)(yang)化膜(mo)”(二(er)氧(yang)(yang)化硅,SiO2) 晶(jing)(jing)(jing)圓(yuan)的(de)保護膜(mo)和(he)(he)絕緣膜(mo)是“氧(yang)(yang)化膜(mo)”(二(er)氧(yang)(yang)化硅,SiO2) 為了將(jiang)從沙子中提取的(de)硅作為半導體集(ji)成(cheng)電路的(de)原(yuan)材 料,需(xu)要(yao)對其進行一(yi)系(xi)列的(de)提純,才可制造出稱為錠(Ingot)的(de)硅柱,然(ran)后將(jiang)該硅柱切成(cheng)均勻的(de)厚度,經(jing) 過(guo)研磨后,制成(cheng)半導體的(de)基礎——晶(jing)(jing)(jing)圓(yuan)。
網(wang)頁高(gao)純(chun)(chun)二(er)氧化硅(gui)項目(mu)明(ming)年陸續投(tou)產(chan) 對于投(tou)資者最(zui)關心的合成(cheng)石(shi)英(ying)砂業務(wu)進(jin)展情況，凱盛科技表示(shi)：“年產(chan)5000噸高(gao)純(chun)(chun)二(er)氧化硅(gui)項目(mu)已(yi)完成(cheng)首(shou)次工藝論證、環評批復(fu)、安全預評價及(ji)施(shi)工圖設計(ji)等，主要設備的招標(biao)工作已(yi)經完成(cheng)，正在按(an)計(ji)劃推(tui)進(jin)，計(ji)劃明(ming)年34季度
網頁2014年10月18日? (最(zui)新(xin)(xin))SiO2提(ti)純(chun)技(ji)術(shu)(shu)綜述提(ti)純(chun),綜述,技(ji)術(shu)(shu),提(ti)純(chun)技(ji)術(shu)(shu),SiO2,技(ji)術(shu)(shu)新(xin)(xin),二氧(yang)化硅(gui),提(ti)純(chun)新(xin)(xin),新(xin)(xin)技(ji)術(shu)(shu),粗鹽提(ti)純(chun) 目前具(ju)體(ti)可采(cai)用的設備有高(gao)能攪拌磨(mo)(mo)(mo)、高(gao)振幅(fu)低頻 振動磨(mo)(mo)(mo)、高(gao)幅(fu)高(gao)頻振動磨(mo)(mo)(mo)、離心式(shi)行星球磨(mo)(mo)(mo)、離心行星式(shi)振動磨(mo)(mo)(mo)等(deng)。
網頁2021年(nian)4月13日? 硅片(pian)(pian)制造(zao)(zao)技術(shu)過(guo)程 硅片(pian)(pian)的(de)(de)原材料(liao)是石英，也就是通(tong)常說的(de)(de)沙子，可以(yi)直接在自然界開采。 晶圓制造(zao)(zao)的(de)(de)過(guo)程可以(yi)通(tong)過(guo)幾步來完成。 脫(tuo)氧(yang)提純(chun)，提煉多(duo)晶硅，單晶硅錠（硅棒），滾磨，晶片(pian)(pian)切割，晶圓拋光(guang)，退(tui)火(huo)，測試，包裝等等步驟。 脫(tuo)氧(yang)提純(chun)：硅片(pian)(pian)制造(zao)(zao)
網頁2020年12月(yue)15日? 如圖1所示(shi)，本(ben)發明實施例(li)的一種從尾礦(kuang)中提純二氧化硅(gui)的方(fang)法(fa)，包括如下步驟： a、將(jiang)尾礦(kuang)、鈉(na)化劑(ji)(ji)、氯化劑(ji)(ji)混(hun)合均勻后(hou)進(jin)行(xing)焙(bei)燒(shao)(shao)，優選(xuan)地，焙(bei)燒(shao)(shao)溫度為800900℃，焙(bei)燒(shao)(shao)時(shi)間為12h，得到(dao)焙(bei)燒(shao)(shao)煙氣和(he)焙(bei)燒(shao)(shao)渣； b、將(jiang)所述步驟a得到(dao)的焙(bei)燒(shao)(shao)渣加水調漿(jiang)，進(jin)行(xing)水浸處(chu)理
網頁(ye)2015年9月9日? 高純二(er)氧化硅具有許(xu)多優良的物理(li)化學性(xing)能，它(ta)是在宇航(hang)、電子、光(guang)纖通訊、國(guo)防軍工(gong)、光(guang)學儀器、激光(guang)等高科技領域被廣(guang)泛應用的基礎(chu)原材(cai)料(liao)。 它(ta)的優良物理(li)化學性(xing)能有：防腐性(xing)、抗劃(hua)傷性(xing)、耐(nai)高溫(wen)性(xing)、高強度(du)、抗撕裂性(xing)、抗張性(xing)等多項性(xing)能。 目前，制(zhi)備
網頁2021年8月(yue)10日? 石(shi)英(ying)礦(kuang)的(de)主要(yao)成分是二氧(yang)化硅，我們(men)所(suo)說的(de)石(shi)英(ying)砂生(sheng)產(chan)工(gong)藝(yi)(yi)就是提(ti)升二氧(yang)化硅的(de)品位，I級高純(chun)石(shi)英(ying)砂甚至(zhi)要(yao)求SiO2的(de)含量達到≥99999%。如何(he)讓天然(ran)石(shi)英(ying)礦(kuang)一(yi)步(bu)步(bu)提(ti)純(chun)，滿足高純(chun)石(shi)英(ying)砂的(de)產(chan)品要(yao)求呢?這(zhe)里為您(nin)介紹(shao)四(si)種主要(yao)的(de)石(shi)英(ying)砂生(sheng)產(chan)工(gong)藝(yi)(yi)及石(shi)英(ying)砂生(sheng)產(chan)設備。
網頁2021年8月19日? 我們都知道(dao)，石英(ying)砂(sha)的(de)主要(yao)成分(fen)是(shi)二氧化硅(gui)，而(er)精制石英(ying)砂(sha)對二氧化硅(gui)的(de)含(han)量(liang)要(yao)求非常之(zhi)高，一般情況下(xia)，精制石英(ying)砂(sha)要(yao)求純(chun)度為SiO2≥99—995% ， Fe2O3≤002—0015% 。確保純(chun)度如此之(zhi)高的(de)首要(yao)前提(ti)是(shi)原(yuan)礦，對原(yuan)礦進行挑選，擇其優質礦石進行復雜加工(gong)，才能得到精制石英(ying)砂(sha)。
網頁2023年2月28日? 1本發(fa)明涉及石(shi)英(ying)砂提(ti)純(chun)(chun)技術領域，具體(ti)(ti)涉及一(yi)種(zhong)電弧真空提(ti)純(chun)(chun)石(shi)英(ying)砂的(de)設備和方法。 背景技術： 2高(gao)純(chun)(chun)二(er)(er)氧(yang)化(hua)硅(gui)是一(yi)類極(ji)為重要的(de)光電子材料(liao)，廣泛應(ying)用于半(ban)導體(ti)(ti)、光纖通汛、激(ji)光和航天等高(gao)技術領域。 隨著(zhu)這些(xie)領域的(de)迅速發(fa)展，對高(gao)純(chun)(chun)二(er)(er)氧(yang)化(hua)硅(gui)中雜質(zhi)含量的(de)要求更(geng)為嚴格(ge)，對高(gao)純(chun)(chun)二(er)(er)氧(yang)化(hua)硅(gui)的(de)
網頁2021年11月3日? 電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)石(shi)渣提純需經過(guo)如(ru)下步(bu)驟： 1將碳(tan)基(ji)原料(liao)、鈣基(ji)原料(liao)、鐵(tie)質原料(liao)送入(ru)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)石(shi)爐(lu)(lu)或(huo)燃(ran)氣(qi)熔融(rong)爐(lu)(lu)中(zhong)，反應生成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)石(shi)及(ji)副產(chan)物硅(gui)鐵(tie)，所得(de)硅(gui)鐵(tie)隨(sui)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)石(shi)排(pai)出電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)石(shi)爐(lu)(lu)或(huo)燃(ran)氣(qi)熔融(rong)爐(lu)(lu); 2產(chan)出的(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)石(shi)進一步(bu)反應生成(cheng)乙炔(gui)氣(qi)體(ti)(ti)和(he)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)石(shi)渣，乙炔(gui)氣(qi)體(ti)(ti)經處理后送入(ru)儲罐儲存，而含有
網頁2021年7月22日(ri)? 超(chao)高(gao)(gao)純二氧(yang)(yang)化(hua)硅是由石(shi)英(ying)(ying)砂(sha)提純制得(de)，中低品位石(shi)英(ying)(ying)砂(sha)也可(ke)制得(de)超(chao)高(gao)(gao)純二氧(yang)(yang)化(hua)硅，但(dan)純度越高(gao)(gao)的石(shi)英(ying)(ying)砂(sha)越容易提純得(de)到超(chao)高(gao)(gao)純二氧(yang)(yang)化(hua)硅產品。 在全球范圍內，美國(guo)、日(ri)本、德國(guo)、英(ying)(ying)國(guo)等(deng)少(shao)數(shu)國(guo)家(jia)具有超(chao)高(gao)(gao)純二氧(yang)(yang)化(hua)硅量(liang)產能力，其中，美國(guo)處(chu)于領先(xian)地區，尤尼明(ming)
網頁1石(shi)英砂：從(cong)基礎原材料(liao)到戰略級資(zi)源石(shi)英砂又(you)稱硅砂，是由(you)天然水(shui)晶、石(shi)英礦物加(jia)工而成或化學合成的二(er)氧化硅材料(liao)。石(shi)英制品具(ju)有硬(ying)度大(da)、膨(peng)脹系數低等(deng)特點(dian)，在(zai)耐(nai)高(gao)溫性(xing)、耐(nai)腐蝕性(xing)、透光(guang)(guang)性(xing)、化學穩定性(xing)、電絕緣(yuan)性(xing)等(deng)方面表現良好，廣(guang)泛(fan)應用于鑄造、建材、電光(guang)(guang)源、光(guang)(guang)纖、光(guang)(guang)伏、半導體等(deng)領域。
網頁(ye)2021年6月8日(ri)? 本文具體介(jie)紹硅片(pian)技術制(zhi)造過(guo)程、制(zhi)造成本分(fen)析(xi)及(ji)主要(yao)壁壘。 硅片(pian)的(de)原材料是(shi)石英(ying)，也就是(shi)通常說(shuo)的(de)沙子，可以直接在自然(ran)界(jie)開采。 晶圓制(zhi)造的(de)過(guo)程可以通過(guo)幾步(bu)來完成。 脫(tuo)氧提純，提煉多晶硅，單晶硅錠（硅棒），滾磨，晶片(pian)切(qie)割，晶圓拋光，退火，測試
網頁生(sheng)產多(duo)晶硅(gui)(gui)所用設備主要有：氯(lv)(lv)化氫合(he)(he)成爐(lu)，三(san)氯(lv)(lv)氫硅(gui)(gui)沸騰床加壓合(he)(he)成爐(lu)，三(san)氯(lv)(lv)氫硅(gui)(gui)水解凝膠處理系統，三(san)氯(lv)(lv)氫硅(gui)(gui)粗餾(liu)、精餾(liu)塔提純系統，硅(gui)(gui)芯爐(lu)，節電還原(yuan)(yuan)爐(lu)，磷檢爐(lu)，硅(gui)(gui)棒切(qie)斷機，腐(fu)蝕、清(qing)洗、干燥、包(bao)裝系統裝置(zhi)，還原(yuan)(yuan)尾氣干法回收(shou)裝置(zhi)；其他(ta)包(bao)括分析
