如果你需要購買磨(mo)(mo)粉機，而且區分不(bu)了雷蒙(meng)磨(mo)(mo)與球磨(mo)(mo)機的(de)區別(bie)，那么下面讓我來(lai)給你講解一(yi)下： 雷蒙(meng)磨(mo)(mo)和球磨(mo)(mo)機外形差異較大，雷蒙(meng)磨(mo)(mo)高達威猛，球磨(mo)(mo)機敦實個頭也(ye)不(bu)小，但是二者的(de)工
隨著社會經濟的(de)快速發展，礦(kuang)石磨粉(fen)(fen)的(de)需求量(liang)越來越大，傳統的(de)磨粉(fen)(fen)機已經不能(neng)滿足生產(chan)的(de)需要，為了滿足生產(chan)需求，黎明(ming)重(zhong)工加緊科研步伐，生產(chan)出了全(quan)自動(dong)智能(neng)化環保節能(neng)立式磨粉(fen)(fen)
網頁碳(tan)化硅(gui)具有代(dai)表性的(de)結晶相是(shi)6H型，一般來說純(chun)粹(cui)的(de)6H型碳(tan)化硅(gui)是(shi)無色(se)透明的(de)，市場上實(shi)際銷售(shou)的(de)碳(tan)化硅(gui)有各種(zhong)顏色(se)(多數是(shi)黑色(se)和綠色(se))。 顏色(se)是(shi)受雜質影響的(de)，其中純(chun)度高的(de)看
網頁(ye)2021年(nian)8月(yue)5日??浙江大學先進半(ban)(ban)導體研究院寬禁(jin)代半(ban)(ban)導體材(cai)料(liao)（碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)、氮化(hua)鎵(jia)） 以(yi)碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)和氮化(hua)鎵(jia)為代表的(de)寬禁(jin)帶半(ban)(ban)導體材(cai)料(liao)，突破原有半(ban)(ban)導體材(cai)料(liao)在大功率、高(gao)頻(pin)、高(gao)速、
網頁2020年6月10日??碳化硅是用天然硅石、碳、木(mu)屑、工業鹽作基本(ben)合成原料，在電阻爐中(zhong)加(jia)熱(re)反(fan)應合成。 其(qi)中(zhong)加(jia)入(ru)木(mu)屑是為了使塊狀(zhuang)混(hun)合物在高溫下形成多孔性，便于(yu)反(fan)應產生的大(da)
網頁2022年12月1日??其中碳化硅因其優(you)越的(de)物理性能：高禁帶寬度、高電導率(lv)、高熱導率(lv)，有(you)望(wang)成為未來最被廣泛使(shi)用(yong)的(de)制(zhi)作半(ban)導體芯片的(de)基礎材料(liao)。 SiC 器件的(de)制(zhi)造是保證(zheng)其優(you)良(liang)應
網頁2021年8月30日??綠碳化(hua)(hua)硅(gui)的生(sheng)產工藝： 綠碳化(hua)(hua)硅(gui)制(zhi)造方法同黑色(se)碳化(hua)(hua)硅(gui)，但采用的原材料純度要(yao)求較高(gao)，也(ye)在電阻爐(lu)中2200°C左右的高(gao)溫下形成，綠色(se)，呈半透明狀(zhuang)，六方晶形，
網頁(ye)非晶材料(liao)(liao)(liao) 5～10 木屑 2～6 3～11 未(wei)反(fan)應(ying)料(liao)(liao)(liao) 25～35 在碳(tan)化(hua)硅的生產過程中，回爐料(liao)(liao)(liao)的要求：包括無定形料(liao)(liao)(liao)、二(er)級料(liao)(liao)(liao)，應(ying)滿足(zu)下(xia)列SiC
網頁2019年6月28日??sic的制作工藝 sic，由(you)于(yu)天然含量甚少，碳化硅主要多為人(ren)造。 常見的方法是將石(shi)英砂與焦(jiao)炭(tan)混合(he)，利用其中的二氧(yang)化硅和(he)石(shi)油(you)焦(jiao)，加入(ru)食鹽和(he)木屑，置入(ru)電爐
網(wang)頁碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)產業鏈也(ye)可分為(wei)三個(ge)環節：分別是(shi)(shi)上游(you)襯底(di)，中游(you)外延片和下游(you)器件制造。 圖(tu)表來源：中信證(zheng)券(quan) 碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)上游(you) 襯底(di) 碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)在(zai)(zai)半導體中存(cun)在(zai)(zai)的主要(yao)形(xing)式是(shi)(shi)作(zuo)為(wei)襯底(di)材料。碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)晶片作(zuo)為(wei)半導體襯底(di)材料，長晶難度(du)
網頁2022年12月(yue)1日??其(qi)(qi)中(zhong)碳化硅(gui)因(yin)其(qi)(qi)優越的(de)(de)物(wu)理性能(neng)：高禁帶寬(kuan)度、高電導率、高熱導率，有(you)望成為未來最(zui)被(bei)廣泛使用(yong)的(de)(de)制作(zuo)半導體芯片(pian)的(de)(de)基礎材料。 SiC 器件的(de)(de)制造(zao)是保證其(qi)(qi)優良(liang)應用(yong)的(de)(de)關(guan)鍵，本(ben)文將詳(xiang)細(xi)介紹SiC器件制造(zao)的(de)(de)離子注入(ru)工(gong)藝和激活退火工(gong)藝。 離子注入(ru)是一(yi)種向半
網頁(ye)2019年6月28日??sic概(gai)述，金剛砂又名碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)（SiC）是(shi)用(yong)石(shi)(shi)英砂、石(shi)(shi)油焦(jiao)（或(huo)煤焦(jiao)）、木屑（生產綠色碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)時(shi)需(xu)要加(jia)食(shi)鹽）等(deng)原(yuan)料通過(guo)電阻爐高(gao)溫冶煉而成(cheng)。碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)在大自然(ran)也存(cun)在罕見的礦物，莫桑(sang)石(shi)(shi)。 碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)又稱碳硅(gui)石(shi)(shi)。在當代C、N、B等(deng)非氧化(hua)(hua)(hua)物高(gao)技(ji)術耐火原(yuan)料中，碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)為應用(yong)最廣(guang)泛(fan)、最經濟的一(yi)種，可以
網頁四、碳(tan)化硅(gui)產(chan)品加工(gong)工(gong)藝流程 1、制(zhi)砂生(sheng)產(chan)線設(she)(she)備(bei)組成 制(zhi)砂生(sheng)產(chan)線由顎式(shi)破碎(sui)機(ji)(ji)(ji)、對輥破碎(sui)機(ji)(ji)(ji)、球磨(mo)機(ji)(ji)(ji)、清吹機(ji)(ji)(ji)、磁選機(ji)(ji)(ji)、振 動(dong)篩和皮帶機(ji)(ji)(ji)等設(she)(she)備(bei)組合而(er)成。 根(gen)據(ju)不(bu)同的工(gong)藝要求，各(ge)種型號的設(she)(she)備(bei)進行組合，滿足客戶的不(bu)同工(gong)藝要求。 2、制(zhi)砂生(sheng)產(chan)線基本
網(wang)頁2022年5月10日??碳化硅(gui)(gui)是目(mu)前發展最成(cheng)熟的第(di)三代半(ban)(ban)導(dao)(dao)體材料。 中國(guo)粉(fen)體網(wang)訊 半(ban)(ban)導(dao)(dao)體行業作為現(xian)代電子信息產(chan)業的基礎(chu)，是支(zhi)撐國(guo)民經濟高質量(liang)發展的重要行業。 第(di)三代半(ban)(ban)導(dao)(dao)體指的是SiC、GaN、ZnO、金剛石（C）、AlN等具(ju)有(you)寬(kuan)禁帶(dai)（Eg＞23eV）特性的新興半(ban)(ban)導(dao)(dao)體材料。 碳化硅(gui)(gui)是
網頁2020年12月25日??碳(tan)化硅單晶(jing)襯底材(cai)料線(xian)切割工(gong)藝存在材(cai)料損耗大、效率低(di)等(deng)缺點，必須進一(yi)步開發大尺(chi)寸碳(tan)化硅晶(jing)體的切割工(gong)藝，提高加工(gong)效率。 襯底表面(mian)(mian)加工(gong)質量的好壞直接決定了外延材(cai)料的表面(mian)(mian)缺陷密(mi)度，而大尺(chi)寸
網頁2019年5月(yue)5日(ri)??關注 碳(tan)化硅生產工(gong)藝流程簡述如下: ⑴、原料(liao)破(po)碎(sui) 采(cai)用(yong)(yong)錘(chui)式破(po)碎(sui)機對石油(you)焦進行破(po)碎(sui),破(po)碎(sui)到工(gong)藝要求的(de)粒徑。 ⑵、配(pei)(pei)料(liao)與混料(liao) 配(pei)(pei)料(liao)與混料(liao)是按(an)照規定配(pei)(pei)方(fang)進行稱量和混勻的(de)過程。 本項目配(pei)(pei)料(liao)采(cai)用(yong)(yong)平(ping)臺(tai),混料(liao)采(cai)用(yong)(yong)混凝土攪拌機,按(an)照工(gong)藝要求對石油(you)焦和石英砂
網頁2021年5月14日??樹牢綠色低碳基礎材(cai)料(liao)標桿(gan) 17:45 （來(lai)源：海東(dong)(dong)之聲(sheng)） 海東(dong)(dong)市(shi)化隆回族自治縣(xian)境內，109國道、蘭寧高速穿城而過，坐(zuo)落于巴燕加合經(jing)濟(ji)園依托碳化硅、電解鋁資源優勢，利用蘭西(xi)城市(shi)群(qun)、西(xi)寧—海東(dong)(dong)都市(shi)圈建(jian)設便利條件，發展有色金(jin)屬、新能源
網頁2022年12月1日??其中碳化硅因其優越的物(wu)理性能：高(gao)(gao)禁(jin)帶寬(kuan)度、高(gao)(gao)電導(dao)率(lv)、高(gao)(gao)熱導(dao)率(lv)，有望(wang)成為未來最被(bei)廣(guang)泛(fan)使用的制作半導(dao)體芯片的基礎材料。 SiC 器件的制造(zao)是(shi)保(bao)證其優良應(ying)用的關鍵，本文將(jiang)詳細介(jie)紹SiC器件制造(zao)的離子(zi)注入(ru)工藝和激(ji)活退火工藝。 離子(zi)注入(ru)是(shi)一種向半
網頁四、碳化(hua)硅產(chan)品(pin)加(jia)工(gong)工(gong)藝流程 1、制(zhi)砂(sha)生產(chan)線設(she)備組成 制(zhi)砂(sha)生產(chan)線由(you)顎式破碎機(ji)、對輥破碎機(ji)、球磨(mo)機(ji)、清(qing)吹機(ji)、磁(ci)選機(ji)、振 動篩和皮帶機(ji)等(deng)設(she)備組合而(er)成。 根據不同的(de)工(gong)藝要求(qiu)，各種(zhong)型(xing)號的(de)設(she)備進行(xing)組合，滿足客戶的(de)不同工(gong)藝要求(qiu)。 2、制(zhi)砂(sha)生產(chan)線基本(ben)
網頁2022年3月2日(ri)??晶(jing)體(ti)生(sheng)(sheng)長：為碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)襯底(di)制造最核(he)心工藝(yi) 環節 1) 目(mu)前市場主流工藝(yi)為 PVT 氣(qi)相傳輸法（固(gu)(gu)氣(qi)固(gu)(gu)反應）。在(zai) 2300°C 密閉、真 空的生(sheng)(sheng)長腔(qiang)室內加熱碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)粉料(liao)，使其(qi)升華(hua)成反應氣(qi)體(ti)。再輸運至(zhi)籽晶(jing)處、在(zai) 籽晶(jing)表面原子沉積，生(sheng)(sheng)長為碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)單(dan)晶(jing)
網(wang)頁2020年12月25日(ri)??碳化硅單晶襯(chen)底材料(liao)線(xian)切割工藝存在材料(liao)損耗大、效率低(di)等(deng)缺點，必須進一(yi)步開發大尺寸(cun)碳化硅晶體的(de)切割工藝，提高加(jia)工效率。 襯(chen)底表面(mian)(mian)加(jia)工質量的(de)好壞直接決定了外延材料(liao)的(de)表面(mian)(mian)缺陷密度，而大尺寸(cun)
網頁2021年(nian)5月14日??樹(shu)牢綠色低碳基礎材料標(biao)桿 17:45 （來源：海東之聲） 海東市(shi)化隆回(hui)族自治縣境(jing)內，109國道、蘭(lan)寧高速穿(chuan)城(cheng)而過，坐落(luo)于巴燕加合(he)經(jing)濟(ji)園依托碳化硅、電解鋁資(zi)源優(you)勢，利用蘭(lan)西(xi)城(cheng)市(shi)群、西(xi)寧—海東都市(shi)圈建設便利條件，發展有色金屬、新(xin)能源
網頁2021年10月14日??碳化(hua)(hua)硅是用(yong)(yong)石(shi)英(ying)砂、石(shi)油(you)焦(jiao)（或(huo)煤焦(jiao)）、木屑（生產(chan)綠色碳化(hua)(hua)硅時需要(yao)加(jia)食鹽）等原料通過(guo)電(dian)阻(zu)爐高溫冶煉而(er)成(cheng)(cheng)(cheng)。煉得的碳化(hua)(hua)硅塊，經(jing)破(po)碎(sui)、酸堿洗(xi)、磁選(xuan)和篩(shai)分(fen)或(huo)水選(xuan)而(er)制(zhi)成(cheng)(cheng)(cheng)各種粒度的產(chan)品。下面(mian)跟(gen)隨河南四成(cheng)(cheng)(cheng)碳化(hua)(hua)硅廠(chang)家(jia)一(yi)起了解下碳化(hua)(hua)硅的生產(chan)工藝： 1、原料破(po)碎(sui)：采用(yong)(yong)錘式破(po)碎(sui)機(ji)對石(shi)油(you)焦(jiao)進(jin)行
網頁2023年(nian)2月(yue)3日??碳(tan)化(hua)硅(gui)，是一(yi)種無機物，化(hua)學式為SiC，是用(yong)石(shi)英砂、石(shi)油焦（或煤焦）、木屑（生產綠(lv)色碳(tan)化(hua)硅(gui)時(shi)需要(yao)加食(shi)鹽）等原料通過電阻爐(lu)高(gao)溫(wen)冶煉(lian)而成。碳(tan)化(hua)硅(gui)在(zai)大自然也存在(zai)罕見的礦物，莫桑石(shi)。在(zai)C、N、B等非氧(yang)化(hua)物高(gao)技術耐(nai)火原料中，碳(tan)化(hua)硅(gui)為應用(yong)最(zui)廣泛、最(zui)經濟(ji)的一(yi)種，可(ke)以稱(cheng)為金鋼砂或耐(nai)火砂。
網頁2014年3月26日??碳(tan)化硅生產(chan)過(guo)程(cheng)中產(chan)生的問題： 1施工(gong)期的環(huan)(huan)境(jing)影(ying)響(xiang)(xiang)及(ji)預防或者減輕不(bu)良(liang)環(huan)(huan)境(jing)影(ying)響(xiang)(xiang)的對策和(he)措(cuo)施的要點: ①揚(yang)塵，土石方施工(gong)、建筑(zhu)材料(liao)的運(yun)輸和(he)堆存會產(chan)生揚(yang)塵，對周圍環(huan)(huan)境(jing)空氣產(chan)生影(ying)響(xiang)(xiang);②施工(gong)機械(xie)排(pai)放的尾氣;③噪聲(sheng)，施工(gong)車(che)輛(liang)、建筑(zhu)機械(xie)運(yun)行和(he)施工(gong)材料(liao)的碰撞產(chan)生噪聲(sheng)，影(ying)響(xiang)(xiang)聲(sheng)環(huan)(huan)境(jing)質量;④建筑(zhu)
網頁2016年(nian)(nian)12月10日??碳化(hua)硅(gui) sic 線膨脹(zhang) 工藝 生產 配料 pathway3 分享于(yu) 21:37:100 更(geng)多>> 相(xiang)關文檔 備考2023年(nian)(nian)安全員(yuan)(yuan)(yuan)之江蘇省C2證（土建安全員(yuan)(yuan)(yuan)）押題練習(xi)試(shi)題B卷含答(da)案 備考2023年(nian)(nian)施(shi)工員(yuan)(yuan)(yuan)之市政施(shi)工基(ji)礎知識自(zi)我(wo)檢測試(shi)卷B卷附答(da)案
網頁2021年7月19日(ri)??簡(jian)介：本說明書提供一(yi)(yi)種碳化硅(gui)晶(jing)(jing)體(ti)配方技術(shu)，該方法(fa)包括：將碳化硅(gui)籽晶(jing)(jing)置于(yu)生(sheng)長腔(qiang)體(ti)頂部；將加(jia)熱(re)組件中(zhong)的加(jia)熱(re)單元(yuan)安(an)裝在生(sheng)長腔(qiang)體(ti)內部，將至少(shao)部分(fen)源(yuan)材(cai)料置于(yu)至少(shao)部分(fen)加(jia)熱(re)單元(yuan)上表面(mian)，其中(zhong)，加(jia)熱(re)單元(yuan)包括至少(shao)一(yi)(yi)個(ge)流通(tong)(tong)通(tong)(tong)道，至少(shao)一(yi)(yi)個(ge)流通(tong)(tong)通(tong)(tong)道貫穿加(jia)熱(re)
網頁2022年5月24日(ri)??漬(zi)碳(tan)碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)用石英(ying)砂(sha)、石油(you)焦（或(huo)煤焦）、木屑（生(sheng)產綠(lv)色碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)時需要(yao)加(jia)食鹽）等原(yuan)料通過(guo)電阻爐高溫(wen)冶煉而成。漬(zi)碳(tan)碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)在(zai)(zai)大自然也存在(zai)(zai)罕見的礦(kuang)物，莫桑石。在(zai)(zai)當代(dai)C、N、B等非氧化(hua)(hua)物高技術耐(nai)火(huo)原(yuan)料中，漬(zi)碳(tan)碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)為應用最廣(guang)泛、最經(jing)濟的一(yi)種(zhong)，可以稱為金鋼(gang)砂(sha)或(huo)耐(nai)火(huo)砂(sha)。
網頁2021年(nian)10月22日??2018年(nian)12月19日，三(san)安(an)集成(cheng)宣布已完成(cheng)了商業版(ban)本的6英寸碳(tan)化(hua)硅晶圓制造技(ji)術的全部(bu)工(gong)藝 鑒定試驗。并將其加入到代工(gong)服務組合(he)中。2020年(nian)07月19，三(san)安(an)光(guang)電在長沙的第三(san)代半導(dao)體項目開工(gong)，主要用于研發、生產及銷售6英寸SIC導(dao)電襯底、4吋半絕緣襯
網頁2022年5月10日(ri)??碳(tan)化硅(gui)襯底(di) 襯底(di)制(zhi)造是(shi)碳(tan)化硅(gui)產(chan)業鏈技術壁壘最(zui)高、價值量最(zui)大(da)的(de)環(huan)節(jie)，是(shi)未來碳(tan)化硅(gui)大(da)規模(mo)產(chan)業化推進的(de)核(he)心(xin)環(huan)節(jie)。碳(tan)化硅(gui)的(de)襯底(di)可以按照電(dian)阻(zu)率(lv)(lv)分(fen)為導電(dian)型(xing)襯底(di)和半(ban)絕緣(yuan)型(xing)襯底(di)，導電(dian)型(xing)電(dian)阻(zu)率(lv)(lv)在002Ωcm左(zuo)右(you)，半(ban)絕緣(yuan)型(xing)電(dian)阻(zu)率(lv)(lv)大(da)于106Ωcm。
網頁2021年8月(yue)4日??碳化硅芯(xin)(xin)(xin)(xin)片這樣制造 新材料，“芯(xin)(xin)(xin)(xin)”未來！ 碳化硅芯(xin)(xin)(xin)(xin)片，取代傳(chuan)統硅基芯(xin)(xin)(xin)(xin)片，可以(yi)有效提高工作效率、 降低(di)能量損耗，減(jian)少碳排(pai)放，提高系統可靠(kao)性，縮減(jian)體積、節約(yue)空間。 以(yi)電(dian)動汽車為(wei)例，采(cai)用碳化硅芯(xin)(xin)(xin)(xin)片，將(jiang)使(shi)電(dian)驅(qu)裝(zhuang)置(zhi)的體積縮小為(wei)五(wu)分之一，電(dian)動汽車
網頁“第二(er)代(dai)(dai)(dai)”和“第三代(dai)(dai)(dai)”半導體并非替(ti)代(dai)(dai)(dai)關系，下一代(dai)(dai)(dai)也不(bu)是全面領先于上一代(dai)(dai)(dai)。氮(dan)化鎵也不(bu)會完全取代(dai)(dai)(dai)硅(gui)的(de)市場(chang)。現有的(de)半導體產業鏈都是圍繞硅(gui)片建立的(de)，氮(dan)化鎵只能(neng)分到一塊很小的(de)市場(chang)。
網(wang)頁2021年5月(yue)14日??樹牢綠色(se)(se)低碳基礎材料標桿 17:45 （來源(yuan)：海(hai)(hai)東(dong)之聲(sheng)） 海(hai)(hai)東(dong)市化隆回族自治縣(xian)境內，109國道、蘭(lan)寧(ning)高速穿城(cheng)而(er)過，坐落于巴燕加合經濟園(yuan)依(yi)托碳化硅、電解鋁資源(yuan)優(you)勢，利(li)用蘭(lan)西(xi)城(cheng)市群、西(xi)寧(ning)—海(hai)(hai)東(dong)都市圈建設便利(li)條件(jian)，發展(zhan)有色(se)(se)金屬(shu)、新能源(yuan)
網頁2022年(nian)3月21日??金(jin)剛砂又名碳化硅(gui)(SiC)是(shi)用(yong)石英(ying)砂、石油焦(jiao)(或煤焦(jiao))、木(mu)屑(xie)(生(sheng)產綠(lv)色(se)碳化硅(gui)時需要加(jia)(jia)食鹽) 此外(wai)還(huan)有(you)立方碳化硅(gui)，它是(shi)以特殊工藝制取的黃綠(lv)色(se)晶體，用(yong)以制作的磨具適于(yu)軸承的超精加(jia)(jia)工，可使(shi)表(biao)面(mian)粗糙度從(cong)Ra32~016微(wei)米一次(ci)加(jia)(jia)工到Ra004~002
網(wang)頁2023年2月(yue)3日??描述 碳化(hua)(hua)硅技術標準 碳化(hua)(hua)硅，又稱碳硅石(shi)，也可(ke)以稱為金鋼砂或(huo)耐火砂，在當代C、N、B等非氧化(hua)(hua)物高技術耐火原料中(zhong)，碳化(hua)(hua)硅是最(zui)經(jing)濟，也是應用最(zui)廣泛的一種。
網(wang)頁2014年3月26日??碳化硅生產(chan)過程中(zhong)產(chan)生的(de)問題： 1施(shi)(shi)(shi)(shi)工期(qi)的(de)環(huan)境影響及預防或者減輕不良環(huan)境影響的(de)對(dui)(dui)策(ce)和(he)措施(shi)(shi)(shi)(shi)的(de)要點: ①揚塵，土石方(fang)施(shi)(shi)(shi)(shi)工、建筑(zhu)材料(liao)的(de)運輸和(he)堆存會產(chan)生揚塵，對(dui)(dui)周圍環(huan)境空(kong)氣產(chan)生影響;②施(shi)(shi)(shi)(shi)工機械排放(fang)的(de)尾氣;③噪聲(sheng)，施(shi)(shi)(shi)(shi)工車輛、建筑(zhu)機械運行和(he)施(shi)(shi)(shi)(shi)工材料(liao)的(de)碰撞產(chan)生噪聲(sheng)，影響聲(sheng)環(huan)境質量;④建筑(zhu)
網(wang)頁(ye)2021年7月19日??簡介：一種碳(tan)化硅(gui)晶(jing)(jing)體的(de)生長方(fang)法，它屬于(yu)碳(tan)化硅(gui)晶(jing)(jing)體生長方(fang)法領域。本(ben)(ben)技(ji)(ji)術要解(jie)決的(de)技(ji)(ji)術問題為降低碳(tan)化硅(gui)晶(jing)(jing)體的(de)熱(re)應力。本(ben)(ben)技(ji)(ji)術取碳(tan)化硅(gui)籽(zi)晶(jing)(jing)，粘接于(yu)石墨(mo)坩堝上(shang)蓋，將(jiang)石墨(mo)坩堝加(jia)裝保溫材料放置(zhi)到(dao)單晶(jing)(jing)生長爐內，抽真空(kong)到(dao)10?20Pa以下，之后(hou)加(jia)熱(re)到(dao)500?550℃，保持真空(kong)狀態(tai)1?2h，然后(hou)將(jiang)氬氣充入(ru)
