如果你(ni)需要購買磨(mo)(mo)粉機(ji)，而且區分(fen)不了雷(lei)蒙磨(mo)(mo)與球(qiu)磨(mo)(mo)機(ji)的(de)(de)區別，那(nei)么下面讓(rang)我來給你(ni)講解(jie)一下： 雷(lei)蒙磨(mo)(mo)和(he)球(qiu)磨(mo)(mo)機(ji)外(wai)形差異較大，雷(lei)蒙磨(mo)(mo)高達(da)威猛，球(qiu)磨(mo)(mo)機(ji)敦實個頭(tou)也不小，但(dan)是二者的(de)(de)工
隨著(zhu)社會(hui)經濟的(de)快速發展，礦石磨粉的(de)需求(qiu)量(liang)越來越大，傳(chuan)統的(de)磨粉機已(yi)經不能滿足生(sheng)產的(de)需要，為了(le)滿足生(sheng)產需求(qiu)，黎明重工加緊科研(yan)步伐，生(sheng)產出了(le)全(quan)自動(dong)智能化環保節能立式磨粉
網(wang)頁2020年(nian)12月14日(ri)? 本文件(jian)的編(bian)制主(zhu)要(yao)參照(zhao)《光(guang)伏單(dan)晶硅(gui)生(sheng)(sheng)長用石英(ying)坩堝生(sheng)(sheng)產(chan)(chan)規范》t/cemia 0042018 的要(yao)求(qiu)以及國內主(zhu)要(yao)生(sheng)(sheng)產(chan)(chan)石英(ying)坩堝企業的生(sheng)(sheng)產(chan)(chan)操作指導書、生(sheng)(sheng)產(chan)(chan)流(liu)程、檢(jian)驗人(ren)員和設(she)備 的要(yao)求(qiu)為依據，確(que)保生(sheng)(sheng)產(chan)(chan)規范化，加強(qiang)生(sheng)(sheng)產(chan)(chan)現場的有(you)效控制，確(que)保石英(ying)坩堝質量的
網頁2020年1月8日? SiO+Si—2SiO（氣）石英坩(gan)堝生產原理：將高純(chun)石英粉裝入可任意傾動角度的旋(xuan)轉(zhuan)成(cheng)(cheng)型(xing)模內，利(li)用離(li)心(xin)力成(cheng)(cheng)型(xing)，將已成(cheng)(cheng)坩(gan)堝形的旋(xuan)轉(zhuan)著的裝置(zhi)移動至(zhi)電極棒處，然
網頁2023年2月27日? 我國石(shi)英(ying)坩(gan)堝行業發展可分(fen)為幾個歷史時期： 19781988 年，我國的電弧法石(shi)英(ying)坩(gan)堝、高純(chun)(chun)涂層坩(gan)堝同激光(guang)用(yong)石(shi)英(ying)玻(bo)(bo)璃(li)(li)、高純(chun)(chun)耐(nai)高溫石(shi)英(ying)玻(bo)(bo)璃(li)(li)管等石(shi)英(ying)
網頁(ye)噴砂(sha)通常是石英坩堝生(sheng)產(chan)過程中的(de)(de)重要步驟，產(chan)品的(de)(de)噴砂(sha)工(gong)作是由(you)噴砂(sha)機完成的(de)(de)。接下來，讓(rang)我(wo)們(men)來了解一下石英坩堝噴砂(sha)工(gong)藝(yi)的(de)(de)步驟。 1首(shou)先，我(wo)們(men)應該連接噴砂(sha)機的(de)(de)電源(yuan)和(he)壓縮
網頁本研究通過模擬和實驗(yan)研究了TaC涂(tu)層和石墨紙(zhi)對SiC晶錠(ding)生(sheng)長(chang)過程的影(ying)響，并與常規石墨坩堝中的生(sheng)長(chang)進行了比(bi)較。我(wo)們證明了使用TaC涂(tu)覆的石墨中繼環(huan)和包圍石墨坩堝內壁的
網頁2023年2月28日? 背景(jing)技術： 2石英(ying)坩堝(guo)是一種生產(chan)單晶(jing)硅棒所(suo)需(xu)的(de)設(she)備(bei)，其中，在石英(ying)坩堝(guo)的(de)生產(chan)過程中，需(xu)要使用(yong)運(yun)(yun)料裝置來將具有較高溫度的(de)石英(ying)坩堝(guo)搬運(yun)(yun)到(dao)涂(tu)料工(gong)作臺
網頁CZ 法拉制(zhi)單晶 硅(gui)的(de)設備由 4 個部分組(zu)成：1）爐體(ti)(ti)：包括(kuo)石(shi)英坩堝(guo)、石(shi)墨坩堝(guo)、加熱組(zu)件、爐壁等(deng)； 2）晶棒和上升旋轉(zhuan)機構：包括(kuo)晶種夾(jia)、旋轉(zhuan)機構；3）氣體(ti)(ti)氛圍與壓力：包括(kuo)
網(wang)頁6 小時前(qian)? 石英(ying)坩堝(guo)是高純石英(ying)制成的(de)容器，是光伏行業不可或(huo)缺的(de)重要(yao)支撐材料(liao)，是太陽(yang)能產(chan)品硅(gui)單晶(jing)、硅(gui)多晶(jing)生(sheng)產(chan)中所必需的(de)石英(ying)容器，也是半導(dao)體產(chan)業和(he)硅(gui)太陽(yang)能電(dian)池(chi)的(de)基礎
網頁目(mu)前硅(gui)片環(huan)節供(gong)應緊張(zhang)，多數企業反應石英坩堝(guo)(guo)限(xian)制了拉晶(jing)產(chan)出，多數企業在產(chan)能爬坡過程中加大坩堝(guo)(guo)采購(gou)量(liang)，市面上優質坩堝(guo)(guo)供(gong)給緊張(zhang)愈發明顯。 預計隨著(zhu)坩堝(guo)(guo)緊張(zhang)持續演繹，硅(gui)
網頁(ye)2020年12月14日? 本(ben)文件的(de)(de)(de)編(bian)制主要(yao)(yao)(yao)參照《光伏單晶(jing)硅生(sheng)(sheng)長用(yong)石(shi)英坩堝(guo)生(sheng)(sheng)產規范(fan)》t/cemia 0042018 的(de)(de)(de)要(yao)(yao)(yao)求以及國內主要(yao)(yao)(yao)生(sheng)(sheng)產石(shi)英坩堝(guo)企(qi)業的(de)(de)(de)生(sheng)(sheng)產操作指導書、生(sheng)(sheng)產流(liu)程、檢驗(yan)人員和設備(bei) 的(de)(de)(de)要(yao)(yao)(yao)求為(wei)依據，確(que)保(bao)生(sheng)(sheng)產規范(fan)化，加強生(sheng)(sheng)產現(xian)場的(de)(de)(de)有效控制，確(que)保(bao)石(shi)英坩堝(guo)質(zhi)量的(de)(de)(de)穩定。
網(wang)頁2023年1月15日? 若高純石(shi)(shi)英砂能夠(gou)實(shi)現進(jin)口替代，則有利于國(guo)內石(shi)(shi)英坩(gan)堝企業(ye)穩(wen)定供貨及(ji)原材料成本控制。 根(gen)據QYResearch，全球(qiu)石(shi)(shi)英坩(gan)堝市場(chang)(chang)主要(yao)生產商有歐晶科(ke)技、ShinEtsuQuartz、錦州佑鑫石(shi)(shi)英科(ke)技有限公司等企業(ye)，排名前三的(de)企業(ye)占全球(qiu)市場(chang)(chang)約(yue)30%的(de)份額，其中亞太地區是
網頁2020年(nian)2月2日? 本文件由中國電子(zi)材(cai)料行業協(xie)會標準(zhun)化(hua)部(bu)歸口。 本文件主要起草(cao)單位：錦(jin)州佑鑫石英(ying)科(ke)技有(you)限公司，內蒙古歐晶(jing)科(ke)技股(gu)份有(you)限公司，江西中昱新(xin)材(cai) 料科(ke)技有(you)限公司 1 T/CEMIA 000－2020 半導體(ti)單晶(jing)硅生長(chang)用石英(ying)坩堝生產規范 1 范圍(wei) 本文件確立了半導體(ti)單晶(jing)
網頁石英坩(gan)堝(guo)中的(de)羥(qian)(qian)基 返回首頁 坩(gan)堝(guo)中的(de)羥(qian)(qian)基（OH）是(shi)對(dui)坩(gan)堝(guo)強(qiang)度(du)影響的(de)核(he)心因素，由于羥(qian)(qian)基的(de)存在(zai)，改(gai)變了(le)SiO2的(de)鍵合結構，致使(shi)坩(gan)堝(guo)的(de)耐溫性能大幅降低，例如坩(gan)堝(guo)中的(de)羥(qian)(qian)基含量超(chao)過150ppm，1050攝氏度(du)就(jiu)會開始軟化變形，無法正常使(shi)用。
網頁2020年1月(yue)8日? 石(shi)(shi)英(ying)坩(gan)堝(guo)(guo)相關(guan)知識(shi)介(jie)紹ppt課(ke)件(jian) 系統標(biao)簽： 坩(gan)堝(guo)(guo) 石(shi)(shi)英(ying) 拉晶 aqm 氣泡 結晶 報(bao)告人：石(shi)(shi)英(ying)坩(gan)堝(guo)(guo)的簡介(jie)客戶關(guan)注問題單晶圓坩(gan)堝(guo)(guo)多晶方坩(gan)堝(guo)(guo)石(shi)(shi)英(ying)坩(gan)堝(guo)(guo)的使用(yong)石(shi)(shi)英(ying)坩(gan)堝(guo)(guo)的作(zuo)用(yong)石(shi)(shi)英(ying)坩(gan)堝(guo)(guo)的作(zuo)用(yong)：在高溫下盛(sheng)裝硅液(ye)(ye)，并防(fang)止其他雜質進入硅液(ye)(ye)。 SiO+Si—2SiO（氣）石(shi)(shi)英(ying)
網(wang)頁2022年5月20日? q：在(zai)光伏(fu)硅片生產過(guo)程(cheng)中，拉(la)晶(jing)(jing)(jing)用的(de)石英(ying)(ying)坩堝各層(ceng)對于石英(ying)(ying)砂(sha)品質(zhi)(zhi)的(de)要(yao)求和區別是(shi)什(shen)么？國內外石英(ying)(ying)塊(kuai)價格和品質(zhi)(zhi)有什(shen)么不同？a：石英(ying)(ying)砂(sha)在(zai)單(dan)晶(jing)(jing)(jing)坩堝用的(de)環節就是(shi)把多晶(jing)(jing)(jing)硅進(jin)(jin)行直拉(la)法(fa)變成(cheng)單(dan)晶(jing)(jing)(jing)硅棒(bang)在(zai)進(jin)(jin)行硅片的(de)切割(ge)。砂(sha)子主(zhu)要(yao)是(shi)用來(lai)作單(dan)晶(jing)(jing)(jing)拉(la)直過(guo)程(cheng)中用的(de)坩堝，砂(sha)現(xian)在(zai)一般主(zhu)要(yao)分為三層(ceng)，像(xiang)進(jin)(jin)口(kou)的(de)
網頁(ye)坩(gan)堝(guo)是用極(ji)耐(nai)火的(de)材料（如(ru)，粘土、石英、瓷土或(huo)較(jiao)難熔(rong)化的(de)金屬）所制的(de)器(qi)皿或(huo)熔(rong)化罐(guan)。主要用于(yu)溶液(ye)的(de)蒸(zheng)發、濃縮(suo)或(huo)結晶，灼燒固體物質。那(nei)么，不同的(de)坩(gan)堝(guo)，又將如(ru)何使用，接下來(lai)，就和小編(bian)一起看看吧。 一、坩(gan)堝(guo)該
網頁(ye)6統計過程(cheng)控(kong)制 4422打開塑(su)料包裝袋，戴上潔凈(jing)的(de)塑(su)料手(shou)套取出石(shi)英坩堝，并檢查石(shi)英坩堝的(de)標簽是(shi)否(fou)完好，石(shi)英坩堝是(shi)否(fou)有裂紋、孔(kong)洞(dong)、表面(mian)不規則等(deng)，同時檢查內壁是(shi)否(fou)有疵點(dian)、氣泡、劃道等(deng)，用戴著手(shou)套的(de)手(shou)指去(qu)觸摸內壁，檢查是(shi)否(fou)有小臟物，或表面(mian)
網頁2022年5月11日? 石(shi)英(ying)坩堝熔制裝(zhuang)置及制備方法與流(liu)程 電(dian)(dian)極210開合度的(de)(de)(de)大小，通(tong)過(guo)控制驅動(dong)件320，進(jin)一(yi)步的(de)(de)(de)實現對6根電(dian)(dian)極210之間產生(sheng)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)弧進(jin)行控制，以此在熔融石(shi)英(ying)坩堝的(de)(de)(de)過(guo)程中對其穩定熔制，進(jin)一(yi)步實現制備大尺(chi)寸(cun)的(de)(de)(de)石(shi)英(ying)坩堝。
網頁2 ? 2023年石(shi)英(ying)(ying)砂行業深度報告， 從基礎(chu)原材料到戰略級資源。石(shi)英(ying)(ying)砂又稱硅砂，是(shi)由(you)天然(ran)水晶、石(shi)英(ying)(ying)礦物(wu)加工而成或化(hua)學(xue)合成的二氧化(hua)硅材料。 石(shi)英(ying)(ying)制品(pin)具(ju)有(you)硬度大(da)、膨(peng)脹系數低等(deng)特(te)點，在(zai)耐高溫(wen)性(xing)、耐腐蝕(shi)性(xing)、透光(guang)性(xing)、化(hua) 學(xue)穩定性(xing)、電絕緣性(xing)等(deng)方(fang)面表現良好。
網頁2022年5月14日? 坩(gan)堝(guo)環節為保證(zheng)坩(gan)堝(guo)熔制(zhi)(zhi)(zhi)效果(guo)，嚴格(ge)控制(zhi)(zhi)(zhi)各金(jin)屬雜質含(han)量。若高(gao)純石英砂純度(du)不足(zu)：1）熔制(zhi)(zhi)(zhi)過(guo)程造成坩(gan)堝(guo)本身形變，導(dao) 致坩(gan)堝(guo)使用壽命(ming)降低；2）影響拉(la)制(zhi)(zhi)(zhi)單晶硅的(de)純度(du)，從(cong)而導(dao)致硅棒(bang)良品率(lv)的(de)降低。 石英坩(gan)堝(guo)中(zhong)內層對(dui)高(gao)純石英砂高(gao)純、低鋁、低堿、抗析
網頁本研究通過模(mo)擬和(he)實(shi)驗研究了TaC涂(tu)層和(he)石(shi)墨(mo)紙對(dui)SiC晶錠(ding)生(sheng)(sheng)長過程的(de)影響，并與(yu)常規石(shi)墨(mo)坩堝中的(de)生(sheng)(sheng)長進行了比較。我們證(zheng)明了使用TaC涂(tu)覆的(de)石(shi)墨(mo)中繼(ji)環和(he)包圍石(shi)墨(mo)坩堝內壁的(de)石(shi)墨(mo)紙生(sheng)(sheng)長的(de)晶體在晶體完整性和(he)界(jie)面形(xing)狀方(fang)面表現出(chu)優異的(de)特性。
網(wang)(wang)頁2021年10月30日? 中國粉體(ti)網(wang)(wang)訊 石(shi)(shi)英坩(gan)堝(guo)具有(you)高(gao)純度、耐溫性(xing)強、尺寸(cun)大(da)精度高(gao)、保(bao)溫性(xing)好等優點(dian)，應用越(yue)來越(yue)廣泛(fan)，在冶金、化工(gong)、電(dian)工(gong)、航空航天(tian)等工(gong)業領域受到極大(da)青(qing)睞。 尤(you)其是在硅晶體(ti)生長(chang)過程中，石(shi)(shi)英坩(gan)堝(guo)成為(wei)(wei)了不(bu)可替代的(de)關鍵部件(jian)！ 一般來講，根據制備工(gong)藝及(ji)用途不(bu)同，石(shi)(shi)英坩(gan)堝(guo)又分(fen)為(wei)(wei)電(dian)弧石(shi)(shi)英坩(gan)堝(guo)和
網頁科學管理，實施(shi)過程控(kong)制 所(suo)用原料高(gao)純石英(ying)砂(sha)是(shi)石英(ying)坩(gan)堝(guo)純度的(de)基礎。高(gao)溫下(xia)，不(bu)同雜質由于其(qi)物理特性(xing)不(bu)同而在石英(ying)坩(gan)堝(guo)中(zhong)的(de)擴(kuo)散快慢不(bu)同，但雜質擴(kuo)散的(de)現(xian)象(xiang)說明高(gao)品(pin)質石英(ying)砂(sha)的(de)使(shi)用是(shi)單晶品(pin)質保障(zhang)的(de)關鍵(jian)。
網頁2023年1月15日? 若高(gao)純石英(ying)砂能夠實(shi)現(xian)進口替代，則有(you)(you)利于國內石英(ying)坩(gan)堝(guo)企(qi)(qi)業穩(wen)定供貨及(ji)原材(cai)料成本控制(zhi)。 根據(ju)QYResearch，全球(qiu)石英(ying)坩(gan)堝(guo)市場主要生產(chan)商有(you)(you)歐晶科技、ShinEtsuQuartz、錦州(zhou)佑鑫石英(ying)科技有(you)(you)限公(gong)司等企(qi)(qi)業，排名前三的企(qi)(qi)業占全球(qiu)市場約30%的份(fen)額，其中亞太(tai)地區是
網頁科(ke)學管理，實施過(guo)程控制 所用(yong)原料高(gao)純石英(ying)砂(sha)是石英(ying)坩(gan)堝(guo)純度的基礎。高(gao)溫下，不(bu)(bu)同雜質(zhi)由于(yu)其物理特性不(bu)(bu)同而在石英(ying)坩(gan)堝(guo)中(zhong)的擴散快(kuai)慢不(bu)(bu)同，但雜質(zhi)擴散的現象說明(ming)高(gao)品(pin)質(zhi)石英(ying)砂(sha)的使用(yong)是單晶品(pin)質(zhi)保(bao)障的關鍵(jian)。
網頁石英坩堝(guo)(guo)(guo)中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)羥基(ji) 返回首頁 坩堝(guo)(guo)(guo)中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)羥基(ji)（OH）是對坩堝(guo)(guo)(guo)強度影響的(de)(de)核心因素，由于羥基(ji)的(de)(de)存在，改變(bian)了SiO2的(de)(de)鍵合(he)結構，致使坩堝(guo)(guo)(guo)的(de)(de)耐溫性能(neng)大幅(fu)降低，例如坩堝(guo)(guo)(guo)中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)羥基(ji)含量超過150ppm，1050攝(she)氏度就會開始(shi)軟(ruan)化變(bian)形，無法正常(chang)使用。
網(wang)頁2020年1月8日? 石(shi)(shi)英(ying)坩(gan)堝(guo)相關知識(shi)介紹ppt課件 系統標(biao)簽： 坩(gan)堝(guo) 石(shi)(shi)英(ying) 拉晶 aqm 氣(qi)泡 結晶 報告人：石(shi)(shi)英(ying)坩(gan)堝(guo)的(de)簡介客戶關注問題單晶圓坩(gan)堝(guo)多晶方(fang)坩(gan)堝(guo)石(shi)(shi)英(ying)坩(gan)堝(guo)的(de)使用石(shi)(shi)英(ying)坩(gan)堝(guo)的(de)作用石(shi)(shi)英(ying)坩(gan)堝(guo)的(de)作用：在高溫(wen)下(xia)盛裝硅(gui)液，并防止其他雜質進入硅(gui)液。 SiO+Si—2SiO（氣(qi)）石(shi)(shi)英(ying)
網頁(ye)2022年(nian)5月(yue)20日? q：在光(guang)伏(fu)硅片生產過(guo)(guo)程中(zhong)，拉晶(jing)用的(de)石(shi)英(ying)坩(gan)堝各層(ceng)對(dui)于石(shi)英(ying)砂(sha)(sha)品質(zhi)的(de)要求和區別是什么？國內外石(shi)英(ying)塊價格和品質(zhi)有什么不(bu)同？a：石(shi)英(ying)砂(sha)(sha)在單晶(jing)坩(gan)堝用的(de)環節就(jiu)是把多晶(jing)硅進行(xing)直(zhi)拉法變(bian)成(cheng)單晶(jing)硅棒在進行(xing)硅片的(de)切割。砂(sha)(sha)子主要是用來(lai)作(zuo)單晶(jing)拉直(zhi)過(guo)(guo)程中(zhong)用的(de)坩(gan)堝，砂(sha)(sha)現(xian)在一(yi)般主要分(fen)為三層(ceng)，像進口(kou)的(de)
網頁2021年(nian)11月30日? 認為除石(shi)英坩(gan)堝(guo)外，光伏(fu)制造過程還需(xu)用到石(shi)英舟、石(shi)英爐管和(he)舟托架等其他石(shi)英制品。因(yin)此預計光伏(fu)用石(shi)英材料整體空(kong)間(jian)大于此次測算(suan)(suan)值(zhi)， 2020 年(nian)市場(chang)規模預計在(zai) 20 億(yi)左(zuo)右（石(shi)英坩(gan)堝(guo)約 12 億(yi)元，其他耗材約 8 億(yi)元）。此外，測算(suan)(suan)得知高(gao)純石(shi)英砂需(xu)求量
網頁6統計過程控制 4422打(da)開塑(su)料包裝袋，戴上(shang)潔凈的(de)塑(su)料手套(tao)(tao)取(qu)出石英坩堝，并檢(jian)(jian)(jian)查石英坩堝的(de)標簽是(shi)否(fou)(fou)完好，石英坩堝是(shi)否(fou)(fou)有裂(lie)紋、孔(kong)洞、表(biao)面不規則(ze)等(deng)，同時檢(jian)(jian)(jian)查內(nei)壁是(shi)否(fou)(fou)有疵點、氣泡、劃(hua)道等(deng)，用戴著手套(tao)(tao)的(de)手指去觸摸內(nei)壁，檢(jian)(jian)(jian)查是(shi)否(fou)(fou)有小臟(zang)物(wu)，或表(biao)面
網頁單(dan)晶(jing)硅制備流(liu)程(cheng) 直拉法(fa)簡稱 cz 法(fa)。cz 法(fa)的特點是在一(yi)個直筒型的熱系統匯(hui)總，用石(shi)墨電阻加(jia)熱，將裝在高純度石(shi)英(ying)坩堝中的多晶(jing)硅熔(rong)化，然后(hou)將籽(zi)晶(jing)插入熔(rong)體表面進(jin)行熔(rong)接，同時轉動(dong)籽(zi)晶(jing)，再反轉坩堝，籽(zi)晶(jing)緩慢向上提升，經(jing)過(guo)引晶(jing)、放大、轉肩、等(deng)徑生(sheng)長、收尾等(deng)過(guo)程(cheng)，得
網頁(ye)2022年5月11日? 石(shi)英坩堝熔(rong)制(zhi)裝置及制(zhi)備(bei)方法與(yu)流程 電(dian)極210開合(he)度的大小(xiao)，通過控制(zhi)驅動件320，進(jin)(jin)一步(bu)的實現對(dui)(dui)6根電(dian)極210之(zhi)間產生的電(dian)弧(hu)進(jin)(jin)行控制(zhi)，以此在熔(rong)融石(shi)英坩堝的過程中對(dui)(dui)其穩定熔(rong)制(zhi)，進(jin)(jin)一步(bu)實現制(zhi)備(bei)大尺(chi)寸的石(shi)英坩堝。
網頁2 ? 2023年石英(ying)砂(sha)行業深度(du)報告(gao)， 從基礎原材料到戰(zhan)略級資源(yuan)。石英(ying)砂(sha)又稱硅砂(sha)，是(shi)由天然水晶、石英(ying)礦物加工而成(cheng)或化學合(he)成(cheng)的二氧化硅材料。 石英(ying)制品具有硬(ying)度(du)大(da)、膨脹(zhang)系數低等(deng)特點，在耐(nai)(nai)高溫性(xing)(xing)(xing)、耐(nai)(nai)腐蝕性(xing)(xing)(xing)、透光性(xing)(xing)(xing)、化 學穩(wen)定性(xing)(xing)(xing)、電絕緣性(xing)(xing)(xing)等(deng)方面(mian)表現良(liang)好。
網頁2022年(nian)6月29日(ri)? 在真空電弧(hu)法制(zhi)作(zuo)石(shi)英坩(gan)(gan)堝的(de)(de)過(guo)程(cheng)中(zhong)，電弧(hu)的(de)(de)溫度(du)對(dui)石(shi)英坩(gan)(gan)堝的(de)(de)質(zhi)量影(ying)響甚大(da)，主要影(ying)響包括坩(gan)(gan)堝的(de)(de)內壁氣泡含(han)量、純度(du)(雜質(zhi)含(han)量)、抗高溫變形性(xing)能、玻璃化程(cheng)度(du)等等，因此如何優化電弧(hu)的(de)(de)控制(zhi)，十分重要。 21根據(ju)本發明的(de)(de)較佳實施(shi)例，在整(zheng)個熔制(zhi)過(guo)程(cheng)中(zhong)
網(wang)頁從液(ye)態轉變為固態的過程(cheng)(cheng)首先要(yao)成核，然后(hou)生(sheng)長(chang)，這個(ge)過程(cheng)(cheng)叫(jiao)晶(jing)(jing)粒(li)的成核長(chang)大。 晶(jing)(jing)粒(li)內分子、原子都是(shi)有規則地(di)排列的，所(suo)(suo)以一個(ge)晶(jing)(jing)粒(li)就是(shi)單(dan)晶(jing)(jing)。 晶(jing)(jing)體生(sheng)長(chang)：所(suo)(suo)謂晶(jing)(jing)體生(sheng)長(chang)是(shi)物(wu)質在特定的物(wu)理和(he)化(hua)學條件下由氣相、液(ye)相或固相形(xing)成晶(jing)(jing)體的過程(cheng)(cheng)。 參考鏈接
網頁本(ben)研究通過(guo)模擬和(he)實驗研究了TaC涂(tu)層和(he)石(shi)墨紙對SiC晶(jing)錠生(sheng)長(chang)過(guo)程的(de)影響，并(bing)與常(chang)規(gui)石(shi)墨坩(gan)堝中的(de)生(sheng)長(chang)進行了比較(jiao)。我們證明(ming)了使用TaC涂(tu)覆的(de)石(shi)墨中繼(ji)環和(he)包圍石(shi)墨坩(gan)堝內壁(bi)的(de)石(shi)墨紙生(sheng)長(chang)的(de)晶(jing)體(ti)在晶(jing)體(ti)完整性和(he)界(jie)面(mian)形狀方面(mian)表現出優(you)異的(de)特性。
網頁2023年(nian)3月1日? 坩(gan)(gan)堝底部中間低(di)、四周高的斜(xie)坡形(xing)狀(zhuang)模仿(fang)cz單晶法的放肩(jian)過程，通(tong)過熱場(chang)控制，可確(que)保在坩(gan)(gan)堝底部實(shi)現單晶橫 向生(sheng)(sheng)產，直至坩(gan)(gan)堝內壁，待單晶上(shang)表面(mian)和坩(gan)(gan)堝底部上(shang)端(duan)平(ping)齊后可通(tong)過熱場(chang)控制實(shi)現晶體縱向生(sheng)(sheng)長。因(yin)此(ci)，本發明(ming)有助(zhu)于降低(di)單晶生(sheng)(sheng)長環節的成本，對光
網(wang)頁科學管理(li)，實施過程控制(zhi) 所用(yong)原料高純(chun)石(shi)(shi)(shi)英砂是石(shi)(shi)(shi)英坩堝純(chun)度的(de)基礎(chu)。高溫(wen)下，不同雜(za)質(zhi)(zhi)由于其物理(li)特性不同而在石(shi)(shi)(shi)英坩堝中的(de)擴散快(kuai)慢(man)不同，但雜(za)質(zhi)(zhi)擴散的(de)現象說明高品質(zhi)(zhi)石(shi)(shi)(shi)英砂的(de)使用(yong)是單(dan)晶品質(zhi)(zhi)保障(zhang)的(de)關鍵。
網(wang)頁(ye)石英坩堝(guo)(guo)中(zhong)的(de)羥基 返(fan)回首頁(ye) 坩堝(guo)(guo)中(zhong)的(de)羥基（OH）是對坩堝(guo)(guo)強度影響(xiang)的(de)核心因素，由于羥基的(de)存在，改變了SiO2的(de)鍵合結(jie)構，致使坩堝(guo)(guo)的(de)耐(nai)溫性能大幅降(jiang)低，例如坩堝(guo)(guo)中(zhong)的(de)羥基含量超過150ppm，1050攝氏度就會開(kai)始(shi)軟化變形(xing)，無法正(zheng)常(chang)使用(yong)。
網頁2022年11月24日? 2022年歐晶科(ke)技(ji)研究報告，石英(ying)(ying)坩堝龍頭企業，下游需求旺(wang)盛。公司(si)業務(wu)主(zhu)要涉(she)及石英(ying)(ying)坩堝、硅材料的(de)回收和清洗等，是(shi)為數不多的(de)具備量 產(chan)大(da)尺寸(cun)石英(ying)(ying)坩堝能力的(de)廠商之(zhi)一(yi)。歐晶科(ke)技(ji)成(cheng)立于(yu) 2011 年，其(qi)石英(ying)(ying)坩堝產(chan)品(pin)于(yu) 2012 年開始(shi)規模化量產(chan)。公司(si)持續進行(xing)技(ji)術突(tu)破。
網(wang)頁2022年(nian)5月20日? q：在(zai)光(guang)伏硅(gui)(gui)片(pian)生產(chan)過(guo)程中，拉晶(jing)用(yong)的(de)(de)石(shi)(shi)英坩堝(guo)各層對(dui)于(yu)石(shi)(shi)英砂(sha)(sha)(sha)品質的(de)(de)要(yao)求和區(qu)別是(shi)(shi)什么？國(guo)內外石(shi)(shi)英塊價(jia)格和品質有什么不(bu)同(tong)？a：石(shi)(shi)英砂(sha)(sha)(sha)在(zai)單(dan)晶(jing)坩堝(guo)用(yong)的(de)(de)環(huan)節就是(shi)(shi)把多晶(jing)硅(gui)(gui)進行直拉法變成單(dan)晶(jing)硅(gui)(gui)棒在(zai)進行硅(gui)(gui)片(pian)的(de)(de)切割。砂(sha)(sha)(sha)子主要(yao)是(shi)(shi)用(yong)來作單(dan)晶(jing)拉直過(guo)程中用(yong)的(de)(de)坩堝(guo)，砂(sha)(sha)(sha)現在(zai)一般主要(yao)分(fen)為三層，像進口的(de)(de)
網頁2021年11月30日? 認(ren)為除石英坩堝外，光伏制(zhi)造過程還需用到石英舟(zhou)(zhou)、石英爐管和舟(zhou)(zhou)托架等其他石英制(zhi)品。因此預(yu)(yu)計光伏用石英材(cai)料(liao)整體空間大于此次測算(suan)值， 2020 年市(shi)場規模預(yu)(yu)計在 20 億左右（石英坩堝約 12 億元(yuan)(yuan)，其他耗(hao)材(cai)約 8 億元(yuan)(yuan)）。此外，測算(suan)得知高純石英砂需求量
網頁(ye)單(dan)晶(jing)硅制(zhi)備流程 直拉法(fa)簡稱 cz 法(fa)。cz 法(fa)的(de)特點是(shi)在一個(ge)直筒型的(de)熱系(xi)統(tong)匯總(zong)，用石(shi)墨電(dian)阻加熱，將裝在高(gao)純度(du)石(shi)英坩(gan)堝中(zhong)的(de)多(duo)晶(jing)硅熔(rong)(rong)化，然后將籽晶(jing)插入熔(rong)(rong)體表面進行熔(rong)(rong)接，同時轉動籽晶(jing)，再反轉坩(gan)堝，籽晶(jing)緩(huan)慢向上提(ti)升(sheng)，經過引晶(jing)、放(fang)大、轉肩、等(deng)徑(jing)生長、收(shou)尾等(deng)過程，得
網(wang)頁6統計過程控制 4422打開塑(su)料(liao)包裝袋(dai)，戴上潔凈的(de)塑(su)料(liao)手(shou)套取出石英坩堝，并檢(jian)查(cha)(cha)石英坩堝的(de)標簽是否(fou)完好(hao)，石英坩堝是否(fou)有(you)裂紋、孔洞(dong)、表面不規則等，同時檢(jian)查(cha)(cha)內壁(bi)(bi)是否(fou)有(you)疵(ci)點、氣泡(pao)、劃(hua)道等，用(yong)戴著(zhu)手(shou)套的(de)手(shou)指去觸摸(mo)內壁(bi)(bi)，檢(jian)查(cha)(cha)是否(fou)有(you)小(xiao)臟物，或表面
網頁2022年6月(yue)29日(ri)? 在真空電(dian)弧(hu)法制作石(shi)英(ying)坩堝的(de)過(guo)程中，電(dian)弧(hu)的(de)溫(wen)度對(dui)石(shi)英(ying)坩堝的(de)質量影(ying)響甚(shen)大，主要影(ying)響包括坩堝的(de)內(nei)壁(bi)氣泡含(han)量、純度(雜質含(han)量)、抗高溫(wen)變形性能、玻璃化程度等等，因此如何優化電(dian)弧(hu)的(de)控制，十分重要。 21根據本發明(ming)的(de)較(jiao)佳(jia)實施例，在整個熔制過(guo)程中
網頁2022年(nian)5月(yue)11日? 石(shi)英(ying)坩(gan)堝熔制(zhi)裝(zhuang)置(zhi)及(ji)制(zhi)備方(fang)法與流程 電(dian)極210開合度(du)的大小(xiao)，通過控制(zhi)驅動件(jian)320，進一步的實現(xian)對6根電(dian)極210之(zhi)間產生的電(dian)弧進行控制(zhi)，以此在熔融(rong)石(shi)英(ying)坩(gan)堝的過程中對其穩定熔制(zhi)，進一步實現(xian)制(zhi)備大尺寸(cun)的石(shi)英(ying)坩(gan)堝。
網頁(ye)2 ? 2023年石英(ying)砂(sha)行業深度(du)報告， 從基礎原材料(liao)到(dao)戰略(lve)級(ji)資源。石英(ying)砂(sha)又稱硅(gui)砂(sha)，是(shi)由天然水晶(jing)、石英(ying)礦物(wu)加工而成(cheng)或化(hua)學(xue)合成(cheng)的二(er)氧(yang)化(hua)硅(gui)材料(liao)。 石英(ying)制品具有硬度(du)大、膨脹系(xi)數低等特點，在耐高(gao)溫性(xing)(xing)、耐腐蝕性(xing)(xing)、透光性(xing)(xing)、化(hua) 學(xue)穩定性(xing)(xing)、電(dian)絕緣性(xing)(xing)等方面表現良(liang)好。
網頁(ye)從液(ye)態轉變為固態的(de)(de)過程(cheng)首先要成(cheng)核(he)，然后生長(chang)，這個過程(cheng)叫晶(jing)粒(li)的(de)(de)成(cheng)核(he)長(chang)大。 晶(jing)粒(li)內分子、原子都是有規則地排(pai)列的(de)(de)，所以一個晶(jing)粒(li)就是單(dan)晶(jing)。 晶(jing)體生長(chang)：所謂晶(jing)體生長(chang)是物(wu)質在特定(ding)的(de)(de)物(wu)理和化學條件(jian)下(xia)由氣相(xiang)(xiang)、液(ye)相(xiang)(xiang)或固相(xiang)(xiang)形成(cheng)晶(jing)體的(de)(de)過程(cheng)。 參考鏈接(jie)
網頁2011年(nian)5月23日(ri)? 坩堝 石(shi)英 電弧 法生產 真(zhen)空 可(ke)行性(xing) 前言(yan)技術和經(jing)濟的(de)(de)發展以及人(ren)(ren)口的(de)(de)增長，使得人(ren)(ren)類(lei)對能源的(de)(de)需求越(yue)(yue)(yue)(yue)來越(yue)(yue)(yue)(yue)大(da)。 基(ji)于現在環(huan)境污(wu)染和常(chang)規能源短缺的(de)(de)雙重危機，發展清潔的(de)(de)，可(ke)再(zai)生的(de)(de)新能源的(de)(de)要求越(yue)(yue)(yue)(yue)來越(yue)(yue)(yue)(yue)迫切。 太(tai)陽能具有豐富(fu)、清潔、可(ke)再(zai)生的(de)(de)優點，受到(dao)了
網(wang)頁2018年11月29日(ri)? 石(shi)英(ying)坩堝在直拉單晶過(guo)程中受到(dao)加熱(re)器的加熱(re)，石(shi) 英(ying)坩堝溫度升高，氣泡復(fu)合層1的設置，使得(de)石(shi)英(ying)坩堝內(nei)的多晶硅原料受熱(re)均勻熔(rong)融(rong)，石(shi)英(ying) 坩堝透明層2上的碳酸鋇(bei)涂(tu)層受熱(re)分(fen)解，形(xing)成氧化(hua)鋇(bei)，氧化(hua)鋇(bei)與石(shi)英(ying)坩堝內(nei)的透明層2發生 反應，形(xing)成硅酸鋇(bei)，由于硅
網頁(ye)本研究通過(guo)模擬和(he)實驗(yan)研究了(le)TaC涂層和(he)石墨(mo)紙對SiC晶(jing)(jing)(jing)錠生(sheng)長(chang)過(guo)程(cheng)的影響，并與常(chang)規石墨(mo)坩(gan)堝中(zhong)的生(sheng)長(chang)進行(xing)了(le)比較。我們證明了(le)使(shi)用TaC涂覆的石墨(mo)中(zhong)繼環和(he)包(bao)圍(wei)石墨(mo)坩(gan)堝內壁的石墨(mo)紙生(sheng)長(chang)的晶(jing)(jing)(jing)體在晶(jing)(jing)(jing)體完(wan)整性(xing)和(he)界面(mian)(mian)形狀方(fang)面(mian)(mian)表現出優異的特性(xing)。
